恩智浦开发教程小课堂第四期—K系列实战经验篇

NXP管管 · 发表于 2020-5-8 17:29:29

恩智浦开发教程小课堂第四期之实战经验篇

哈喽大家好！经过前三期的小课堂学习，大家参与的都十分积极，本次小课堂给大家带来恩智浦K系列两个实战经验，非常实用，欢迎大家前来学习

课程时间：2020.5.8~5.15

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第一节：在K82F平台上配置FTM的EPWM模式

视频相关：

·方案：选择K82F的SDK2.6例程中的ftm_pwm_twochannel例程，通过修改“ftmParam[0].level”选择PWM的极性，修改“ftmParam[0].dutyCyclePercent”选择占空比。在函数 “FTM_SetupPwm(BOARD_FTM_BASEADDR,ftmParam, 2U, kFTM_EdgeAlignedPwm, 24000U, FTM_SOURCE_CLOCK);”中将FTM、PWM参数、通道数量，PWM模式、频率、以及时钟源进行配置。

·结果：在视频中，两个通道分别输出了不同极性、不同占空比但是频率相同的PWM波。

相关资料：FRDM-K82F FlexIO Camera 实验

第二节：在KV31运行pflash例程时发现程序不能正常擦除，报错解决

视频相关：

·问题：在KV31运行pflash例程时发现程序不能正常擦除，报错

·解决：通过单步运行，查找到擦除程序返回的非成功值来源，发现返回值含义是违反了保护内存，通过查找FTFA模块关于flash保护寄存器的描述，得知是由于XACC寄存器被设置了，导致内存被访问保护，无法擦除，修改要擦除地址不在其保护范围内，就可以正常运行。

XACC寄存器是从编程FLASH IFR获得的，这是一个一次性编程的内存区域，一旦写入就无法更改。所以我们无法更改XACC寄存器。

相关分享：Kv31的pflash例程报错解决

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学习小奖励：
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