微波功率半导体器件的新进展和新应用

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        8月20日,深圳,由中国半导体行业协会主办,分立器件分会、华强电子网等联合承办的“2009中国半导体分立器件市场年会”上,中国电科集团南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家级重点实验室邵凯先生对于微波功率半导体器件的进展和应用进行了介绍。
  微波功率半导体器件目前拥有每年20亿美元的全球市场,在很多应用中它是不可缺少的非常重要的一类半导体器件。它的应用主要分为三大类:以手机射频功放为代表的输出功率小于5W,工作频率为S波段以下的中功率射频器件;以移动通信基站功放为代表的大功率射频器件;以及主要用于通信、雷达等领域的X波段及更高频率的微波毫米波功率器件。它涉及到的半导体材料包括第一代的硅,第二代的砷化镓、磷化铟以及第三代的氮化镓和碳化硅等。不同材料适合不同应用。

  目前砷化镓异质结双极晶体管(GaAs HBT)是手机射频功放的主流技术;移动通信基站功放则主要用硅横向扩散金属氧化物半导体场效应器件(Si LDMOS);微波毫米波功放主要用砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)。但其它材料和器件结构也在参与激烈竞争,尤其是第三代半导体材料氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的出现带来了新的希望。

  在本次会议上,全国200多位行业主管部门领导、专家及业界代表汇聚深圳,紧紧围绕金融危机下中国半导体分立器件市场机遇及趋势,分立器件新技术新工艺的发展,新型分立器件在汽车电子、节能照明等领域的应用前景进行了深入探讨。工业和信息化部电子信息司丁文武副司长、中国半导体行业协会徐小田秘书长、中国半导体行业协会分立器件分会赵小宁秘书长、中国科学院许居衍院士等领导、专家出席了本次会议并发言。


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