IDT推出针对工控、医疗成像和通信等应用的下一代双口RAM

分享到:

        IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)今天宣布,其不断扩大的多口RAM系列又添两个新型双口RAM器件。从工业控制到医疗成像和通信,新的 9Mb 和 4Mb 双端口器件可实现高达 200MHz 的性能,以满足苛刻的存储器缓冲要求。这两款器件采用 1.8V 内核电压,比现有解决方案的功耗更低。 

          双端口器件集成了存储器和控制逻辑,可以通过独立端口实现对通用中央存储器的同时存取。该IDT 解决方案有助于客户通过解决芯片间连接问题,增加带宽并降低设计复杂性,同时通过使用经过验证的成熟器件,实现快速上市。

         IDT 公司流量控制管理部门市场总监 Carl May 表示:“IDT一直积极寻找改善我们现有产品的方法,为我们的客户提供不断进化的升级,在其未来的设计顾虑变成问题之前,帮助他们排除这些顾虑。这些新器件为我们的客户提供了性能和功耗上的显著改善。”

        性能和优势

         新的 9Mb IDT 70P3519 和 4Mb 70P3599 是高速 256K/128K x 36 位同步双端口器件。两款器件可提供完整的同步功能,有助于 IDT 的客户优化其设计,获得更高的性能和更低的功耗。此外,这两款器件还有助于客户同时存取单个存储器地址,而无需外部器件。同步功能包括计数器、多个独立的芯片使能和字节使能(byte enable)及同步中断。此外,控制寄存器、数据和地址输入可实现最短的设置和保持时间,以便使产品更快上市。通过采用输入数据寄存器,这两款双端口器件为具有单向或双向数据流突发的应用进行了优化。一个由 CE0 和 CE1 芯片使能引脚控制的自动掉电特性,可允许每个端口的片上电路进入一种非常低待机功耗的模式。

         70P3519 和 70P3599 能够支持一个或两个端口上3.3V、2.5V 或 1.8V 的 I/O 电压。这两款器件的内核电源(VDD)为 1.8V。

        封装和供货

         为了方便 IDT 客户采用,IDT 70P3519 和 70P3599 均采用与现有 IDT 双端口解决方案一样的封装:256 引脚球栅阵列(BGA)、208 引脚塑料方形扁平(PQFP)和 208 引脚细间距球栅阵列(fpBGA)。

继续阅读
无线通信技术在平安城市建设之应用分析(2)

支持点对点和点对多点组网模式(其中BreezeNETB仅支持点对点组网模式);   根据视频监控要求优化上行带宽;

RFID融合UWB将推动无线通信技术发展

工业和信息化部电信研究院规划研究所副所长胡坚波在第八届中国无线技术大会上指出,“短距离无线通信技术RFID和UWB的融合将会给未来的无线通信技术带来非常大的活力。”

飞思卡尔的市场战略——永远进攻

通过嵌入式处理器和辅助产品,飞思卡尔为汽车、网络、无线通信、工业控制和消费电子等行业客户提供复杂多样的半导体和软件集成方案,即飞思卡尔所谓的“平台级产品”。飞思卡尔全球现有超过1万个终端客户,其中包括由公司自己的销售队伍服务的100多家知名的原始设备生产商,以及通过数千个代理商网络服务的其他终端客户。

汽车电子技术将汽车带入智能化时代

随着现代科技的不断发展,社会进入了信息网络时代,汽车作为代步工具的同时,人们寄予了它更多的期望功能。

中国无线通信大会9月23-24日在上海举办

2009中国通信市场火热的争夺战况堪比今夏的天气——持续高温。3G上马,全业务运营,移动固网融合趋势加剧促使三大运营商“三足鼎立”局面逐渐形成。

精彩活动