台积电 ISSCC 2017 首揭 7nm FinFET 技术

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台积电、三星、格罗方德等半导体大厂开启在 7 奈米制程争战,而现在台积电有望领先群雄在 2017 年国际固态电路研讨会(International Solid-State Circuits Conference,ISSCC)率先发表 7 奈米 FinFET 技术!

全球 IC 设计领域论文发表最高指标国际固态电路研讨会(ISSCC)下届确定于 2017 年 2 月 5~9 日在美国加州登场,台积电设计暨技术平台组织副总侯永清将担任特邀报告(Plenary Talks)讲者。

这次台积电  5 篇论文获选(美国台积电 1 篇),2 篇论文为类比电路领域,记忆体电路设计则有 3 篇。此次 ISSCC 2017 入选的 208 篇文章中,台湾产学研各界领域有 15 篇,除了台积电 5 篇,台湾 IC 设计一哥联发科此次有 4 篇,南亚科转投资 IC 设计公司补丁科技也有 1 篇获选,其他交通大学 3 篇、台湾大学 2 篇、清华大学 1 篇。

值得关注的是,此次台积电将领先业界在大会上发表 7 奈米 FinFET 技术。揭示迄今最小位元数 SRAM 在 7 奈米 FinFET 的应用,验证  0.027μm2 256 Mbit SRAM 测试晶片在 7 奈米制程下,能大幅提升手机、平板电脑中央处理晶片运算速度,同时满足低功率需求。

台积电、三星通常以 SRAM、DRAM 来练兵,先从记忆体下手,当良率提升到一定程度再导入逻辑产品。台积电先前预估 10 奈米年底量产、7 奈米最快 2018 年第一季生产,然在英特尔宣布放缓 10 奈米以下制程投入进度后,台积电与三星在 10 奈米、7 奈米先进制程展开激烈缠斗。

三星在 10 月初抢先台积电宣布 10 奈米量产,市场近期传出台积电 7 奈米最快在明年 2017 就可试产、4 月接单,拉升 7 奈米制程战火。三星在 7 奈米就引进极紫外光(EUV)微影设备,力拚 2017 年年底 7 奈米量产。

而格罗方德则宣布跳过 10 奈米,直接转进 7 奈米,预估 2017 年下半可进行产品设计定案(tape out),2018 年初开始风险生产(risk production)。

 

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