恩智浦发布Airfast 3射频功率晶体管,推动蜂窝基础设施在智能城市的应用

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全新晶体管在技术改进方面实现了巨大飞跃,可满足工作频率为1805至2690 MHz的宏基站的严苛要求。

恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.(纳斯达克代码:NXPI)今天推出Airfast第三代产品,首发的是四颗用于蜂窝通信宏基站重点 LDMOS晶体管方案。全新Airfast 3在技术上达到了新的里程碑,在满足所有当前无线标准的严苛要求的同时,提升了性能指标,具备宽广的瞬时带宽,单科器件即可覆盖整个通信频段。

恩智浦Airfast 3产品在效率、增益、射频输出功率和信号带宽方面提供行业领先的性能,同时大幅减少了提供给定射频输出功率水平所需的尺寸。相比Airfast 2,第三代产品的效率提升了4%(53%的末级效率和高达50%的产品组合效率),热性能提升了20%,提供高达90 MHz的全信号带宽并且空间节省高达30%。

恩智浦射频功率事业部执行副总裁、总经理Paul Hart表示:“减小蜂窝基站的尺寸需要持续改进射频功率放大器。我们的第三代Airfast解决方案提供行业领先的性能,并且采用推动行业进步所需的封装尺寸。”

全新Airfast 3高功率LDMOS晶体管

这四款全新Airfast 3 LDMOS射频功率晶体管设计用于对称Doherty放大器架构,包括:
• A3T18H450W23S:1805至1880 MHz,89 W平均射频输出功率,17.2 dB增益,51%效率
• A3T18H360W23S:1805至1880 MHz,56 W平均射频输出功率,17.5 dB增益,53%效率
• A3T21H450W23S:2110至2200 MHz,89 W平均射频输出功率,15.5 dB增益,49.5%效率
• A3T26H200W24S:2496至2690 MHz,37 W平均射频输出功率,16.3 dB增益,50%效率
这些全新晶体管是首批采用气腔塑料封装的Airfast产品,具有出色的射频性能与较低热阻,从而减少了系统总散热量。

上市时间
全新Airfast 3射频功率晶体管目前提供样片,预计将于2016年第四季度开始量产。还提供各种频率的参考电路。

有关定价或其他信息,请联系您当地的恩智浦销售办事处或恩智浦指定经销商。有关恩智浦第三代Airfast产品的更多信息,请访问官网。

 

 

 

 

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