10纳米三星Exynos 8895参数曝光

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继高通新一代骁龙系列旗舰芯片 Snapdragon 835(MSM8998)正式公布之后,有关三星 Exynos 8895 芯片的参数信息在网络上公开。正如行业预期,为了对标高通骁龙 835,Exynos 8895 采用自家最新的 10 纳米 FinFET 工艺打造,只是与之前 Exynos 芯片不同的是,Exynos 8895 分为了两个版本,Exynos 8895V 和 Exynos 8895M。

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据网络上公开的芯片参数显示,Exynos 8895 采用 10nm 工艺八核心设计,由三星自主研发的四颗猫鼬 M2 核心+四颗 A53 核心组成,GPU 还是 G71(主频达到 550MHz),拥有 18/20 个 GPU 内核单元,相比今年的 Mali-T880 GPU 将可提供高达 80% 以上的性能提升,并进一步增强对 4K 内容和显示屏的支持,支持 4 通道 LPDDR4x 和 UFS 2.1 储存,基带提升到 LTE Cat.16,不过目前依然不支持 CDMA,具体将在明年年第三季度可搭配 S359,实现“全网通“基带以便于适用于多个国家和地区。

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在 M2 定制的 CPU 内核方面,有消息透露称,正式版 Exynos 8895 的 CPU 频率也许将飙升到 3GHz,因采用 10 纳米工艺制程,最大功耗仅为 5 瓦。另外,两款 Exynos 8895 的主要区别在于主频和 GPU 图形处理单元部分,其中,Exynos 8895M 是高端版本 ,M2 内核主频 2.5GHz,Cortex-A53 小内核为 1.7GHz,GPU 为 Mali G71 MP20。而 Exynos 8895V 的 M2 大内核主频缩减到了 2.3GHz,GPU 也换成了 Mali G71 MP18。

可以预计的是,三星 Exynos 8895 处理器芯片将在明年第一季度开始量产,手机终端在明年第二季度上市,全网通版本将在第三季度根据实际情况揭晓。至于三星的旗舰机型 Galaxy S8 什么时候正式公布,相信明年上半年会有消息。

 

 

 

 

 

 

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