恩智浦再推三款65V LDMOS产品，强势进军智能工业市场
恩智浦半导体宣布推出面向智能工业应用的新型射频功率晶体管，这些产品采用了突破性的65V横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)硅技术。与以前的射频功率解决方案相比，65V LDMOS技术拥有更高的功率密度、更低的电流和更宽的安全裕量，可以实现集成度更高的高可靠型工业4.0系统；如今，此类系统已能利用固态技术卓越的控制能力，同时还具备超强的能耗管理能力。
MRFX系列65V LDMOS器件面向工业、科技和医学(ISM)应用，如激光激发、等离子处理、磁共振成像、皮肤治疗、透热等；当然，还有不断壮大的射频能量领域，在该领域，晶体管将取代工业供暖设备中的真空管(晶体管将取代工业加热设备中的磁控管)。这些器件同时面向无线电和电视广播发射器。
恩智浦高级总监兼射频功率事业部总经理Pierre Piel表示：“在不到一年的时间里，已有超过百位客户采用了恩智浦的65V LDMOS。在突出的性能优势以外，前所未有的各种赋能工具成为致胜的法宝。恩智浦的功能模块不但在设计上易于复制，而且拥有众多的系统和软件支持。这意味着，射频设计进一步简化，上市时间加快，如此一来，客户就能集中精力，打造产品的核心价值。”
2017年，65V LDMOS系列携1K80H首次亮相，这款器件支持1800W CW（连续波），采用气腔（空腔）陶瓷封装。其后，人们针对MRFX1K80H提出了多种新型参考设计，使射频设计师可以在27、64、81.36、87.5-108、128、175、174-230和230MHz频率下快速启动开发流程。
本着突出易用性、缩短开发时间、重用以往50V解决方案的设计思路，恩智浦近日又为其65V系列再添新成员：
MRFX1K80N：MRFX1K80H器件的1800W超模压塑料封装版本（注塑塑料封装版本），可使热阻降低30% (0.06 °C / W)。
MRFX600H：紧凑型600W解决方案，拥有无与伦比的12.5Ω输出阻抗，适用于4:1输出变压器 （器件匹配到12.5Ω输出阻抗，只要通过4：1阻抗变换器就可以到50Ω）。
MRFX035H：以前最终级（末级）器件的35W驱动器。拥有无与伦比的50Ω输出阻抗，适用于最紧凑的电路板布局。
电源制造商已经开始开发65V解决方案。ABB Embedded Power正在开发一款3.5 kW、65 V电源装置，用于驱动恩智浦MRFX系列晶体管。高级产品经理Jim Montgomery称：“通过与恩智浦的合作，我们将开发出强大的新一代射频系统，实现更高功率的应用，集卓越的可靠性、灵活性和控制能力于一身，达到缩短开发时间的目标。”
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