上海光机所计算光刻技术研究取得进展

分享到:

近日,中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室提出一种基于虚拟边(Virtual Edge)与双采样率像素化掩模图形(Mask pixelation with two-phase sampling)的快速光学邻近效应修正技术(Optical proximity correction, OPC),仿真结果表明该技术具有较高的修正效率。

光刻是极大规模集成电路制造的关键技术之一,光刻分辨率决定集成电路的特征尺寸。随着集成电路图形的特征尺寸不断减小,光刻系统的衍射受限属性导致明显的光学邻近效应,降低了光刻成像质量。在光刻机软硬件不变的情况下,采用数学模型和软件算法对照明模式、掩模图形与工艺参数等进行优化,可有效提高光刻分辨率、增大工艺窗口,此类技术即计算光刻技术(Computational Lithography)。该技术被认为是推动集成电路芯片按照摩尔定律继续发展的新动力。

 

OPC技术通过调整掩模图形的透过率分布修正光学邻近效应,从而提高成像质量。基于模型的OPC技术是实现90nm及以下技术节点集成电路制造的关键计算光刻技术之一。上海光机所科研人员提出的这种基于虚拟边与双采样率像素化掩模图形的快速光学邻近效应修正技术,能够将不同类型的成像失真归结为两种类型的成像异常,即内缩异常与外扩异常。利用不同的成像异常检测模板,依次在掩模图形的边缘和拐角等轮廓偏移判断位置进行局部成像异常检测,确定异常类型及异常区域的范围。根据异常检测位置与异常区域范围,自适应产生虚拟边。通过移动虚拟边调整掩模的局部透过率分布,从而修正局部成像异常。借助修正策略和修正约束,实现高效的局部修正和全局轮廓保真度控制。另外,双采样率像素化掩模充分利用了成像系统的衍射受限属性,在粗采样网格上进行成像计算与异常检测,在精采样网格上进行掩模修正,兼顾了成像计算效率与掩模修正分辨率。利用多种掩模图形进行验证,仿真结果表明该OPC技术的修正效率优于常用的基于启发式算法的OPC技术。

相关研究成果发表在Optics Express上。研究工作得到国家重大科技专项和上海市自然科学基金项目的支持。

基于虚拟边的成像异常修正,(a)外扩异常修正,(b)内缩异常修正

 

继续阅读
内存计算技术在人工智能存储系统中的应用前景

2019冠状病毒疾病肆虐全球,但是也加速了全球数字化转型,并且也改变了存储类半导体的发展模式。

为什么移动计算的需求在上升?

对移动计算的需求将进一步增加,它将决定人们的工作方式,不使用移动应用程序的公司将变得缺乏竞争力。

瞄向量子计算?AMD公布一种新量子计算架构

据外媒Tom’sHardware报道,AMD和一个研究团队日前提交了一项专利申请,通过采用传统的多 SIMD(单指令多数据)方法,来构造一种更高效可靠的量子计算架构。

未来十年,对话式计算、环境计算和云PC会把世界变成什么样?

新冠肺炎疫情已对IT行业的变革速度产生了深远的影响。现在我们比以往任何时候都更流行远程连接。视频会议迎来了真正的机会,终于可以实现它一直承诺的事情:消除大多数商务旅行,包括早上通勤上班。硅谷科技公司已将这变成了招聘的一大优势:由于招聘远程办公人员,他们减少了支出,而开出的薪水比集中办公人员高出一大截。

量子计算战争:一场国家实力和技术路线的双重对抗

在人类计算技术的飞速发展中,量子计算越来越受到重视。实际上,它不仅仅是相关企业保持其核心竞争力和前沿技术能力的重要领域,也是国家之间相互竞争的重要科技领地;目前在这个领域已经出现了不少选手,它们都实力强劲,且选择了不同的技术路线,形成了蔚为大观的 "量子计算战争"。围绕这一话题,外媒作者 MARK LAPEDUS 进行了全面而深入的解读,雷锋网(公众号:雷锋网)对本文进行了不改变原意的编译。