高能物理研究所研制出硅超快传感器:具有良好抗辐照性能

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据高能物理研究所,近日,中国科学院高能物理研究所科研团队研制出具有良好抗辐照性能的硅超快传感器。

高能物理研究所研制出硅超快传感器:具有良好抗辐照性能

该传感器基于低增益雪崩放大二极管(Low-Gain Avalanche Diode, LGAD)。经 ATLAS 合作组与 RD50 合作组测试,该传感器是目前抗辐照性能最好的 LGAD 硅超快传感器,达到 ATLAS 实验高颗粒度高时间分辨探测器项目(High Granularity Timing Detector,HGTD)的要求。

据介绍,该研究在原有 LGAD 硅超快传感器工艺上增加了碳掺杂工艺,降低了辐照引起硅传感器中硼掺杂的移除速率,提高了抗辐照性能。

该项目研发的硅超快传感器,超快读出芯片和大面积超快探测器集成等均是国际前沿的新技术。以高能所为主体的中国组将承担 HGTD 项目超过 1/3 的传感器研制,近一半的探测器模块研制,与全部的前端电路板研制。

据了解,该项目得到国家自然科学基金委员会、核探测与核电子学国家重点实验室等的支持。

 
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