[S12] s12g128 bootloader flash烧写

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发表于 2017-11-20 15:50:23 | 显示全部楼层 |阅读模式

本帖最后由 yanxiao1 于 2017-11-20 15:51 编辑

目前在做这个片子的bootloader，遇到个问题，在程序中主循环中对pflash操作，每次写入8字节数据，同时地址增加，连续写入100次，查看仿真状态下memory对应地址，数据写入正常，但是在bootloader烧录的流程中，加入校验，确保校验正确的情况下，每校验32字节ok后，对应地址写入数据，结果每隔32字节地址对应的memory显示就是FF，如图