本帖最后由 小恩GG 于 2020-2-16 21:37 编辑
LPC55S6x 0A和1B版本区别进阶
LPC55S69最大的优势是RAM 大，集成16 位ADC，以及低功耗和安全特性。我们推荐的芯片版本是新版本 1B。 1. 主频区别 1B 芯片版本 CPU最大频率是 150 MHz，0A芯片版本 CPU最大频率是 100Mhz。器件版本REV_ID 的数值，针对 0A 版本是 0，1B 版本是 1。 2. ROM APISecure Boot的区别： 预取位在设备版本 0A上不起作用，预取位在设备版本 1B 上起作用。 使用 SB 文件更新 ROM 固件：LPC55S6xx silicon 的 0A 版本支持 SB 固件格式的版本 2.0， LPC55S6xx 的 1B 版本支持 SB 固件格式的版本 2.1。这些新版本更新了加密算法，还添加了对固件签名的支持。 SB 版本 2.0 和版本 2.1 的主要区别在于数字签名的使用。在SB版本 2.0 中，随着 0A 版本的LPC55S6x/LPC55S2x/LPC552x 芯片的引入，SB2.0 文件的数字签名是可选的，签名哈希是完整 SB2.0文件的哈希，ROMbootloader 的 ReceiveSBFile 命令从不验证签名。SB 文件版本2.1，1B 版本的LPC55S6x/LPC55S2x/LPC552x 器件，数字签名的使用成为强制性的。ReceiveSBFile命令验证使用数字签名，SB 2.0 和 2.1 文件格式还使用 AES 加密，使用 HMAC从 SB 文件的签名部分扩展到 SB文件的命令和数据部分，这两个密钥（AES decrypt key 和HMAC key）封装在RFC3394密钥 blob 中。SB 2.0 和 SB2.1 文件的描述如 elftosb 工具用户指南所示。elftosb工具是用于 Windows/Linux/MAC 环境下的 NXP 固件签名和 SB 文件创建工具。 3. Powerlib的区别 建议使用Power API 来配置芯片，以实现低功耗操作。 对于芯片版本 1B，SDK 中的 Power 库根据选择的频率设置DCDC 输出。对于频率 100 MHz 或以下，DCDC输出设置在 1.0 V 至 1.075 V 之间；对于频率 101 MHz 至 130 MHz，DCDC 输出设置在 1.025V 至 1.150 V 之间；对于频率 130 MHz 以上，DCDC 输出设置在 1.050 V至1.2 V之间。可以根据 SDK 里面的Power 库调用 API 配置来实现预期的性能，默认情况下，这对 0A版本，内部的 DCDC 转换输出电压是 1.1v；针对 1B 的版本，内部的DCDC 转换输出电压是1.05v（推荐操作频率在 100Mhz及以下）。也可以通过如下表格 296，修改电压来实现更高频率的范围。
The POWER_SetVoltageForFreqAPI 的调度，必须在最初设置频率之前以及将频率从一个范围更改为另一个范围前进行配置。
4. 唤醒时间（从深度掉电模式唤醒，4KB 保持，RTC 关闭，使用 RESET 引脚唤醒）
从深度掉电模式下唤醒会导致芯片复位。唤醒时间的测试是从复位引脚被触发到唤醒芯片后，GPIO输出被置位。1B的版本唤醒时间是 4.6ms，0A 的版本唤醒时间是 17ms。
5. 比较器的磁滞功能
在 0A 版本的器件上，比较器的磁滞功能不能开启。
6. BODVBAT控制寄存器和 TRIGLVL
BODVBAT 控制寄存器 (通过 POR，引脚复位和软件复位)：默认的数值，0A 版本是 0x69， 1B 的版本是 0x47。
TRIGLVL (BoD 触发电平)：默认的数值，0A 的版本是 0x9，1B 的版本是 0x7。
7. IOCON 寄存器
针对 0A 版本器件，引脚PIO0_9，PIO0_11，PIO0_12，PIO0_15，PIO0_18，PIO0_31， PIO1_0 和 P31，PIO1_0，PIO1_9，其 IOCON 寄存器中的 AWS 位为 0。
针对 1B 版本器件，IOCON 寄存器的 ASW 位设置为“1”。参考如下表
感谢 NXP FAE Hanson He 提供素材，
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发表于 2020-1-23 13:53:04
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