新人新帖，关于flash问题

flyingbird-3368 · 发表于 2011-12-30 10:06:04

对于K60/K70的fn系列芯片，根据datasheet，分成pflash0，pflash1，,pflash2，pflash3,那么这个pflahs如何分配空间大小，以1M说明，难道是平分？另外，flash内部有些名词，比如sector，section，block这些从flash空间来看，各自多大？如果sector是2K，那么section呢？另外，这三者有没有从属关系。对于program flash0 ifr占用1k，这1k空间是额外的空间还是占用了pflash自身空间，而且这1K类似rom，对于用户来说只能有限次写，也不能擦除，而且ifr中有960字节是保留的？user可以用来写数据吗？另外64字节，是program once filed，在datasheet倒是明确说明只能写一次，对于960字节没有说明。

先提出这几个问题吧。

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安 · 发表于 2011-12-30 10:47:08

1、PFLASH：这个是根据不同的芯片，大小是不一样的，你可以参考手册FLASH这一章中，里面详细划分了FLASH的空间，K60是一片为128K。
2、sector:FLASH区，一个FLASH是由多个block组成，block是由多个sector组成，而sector是由多个section组成。
3、 ifr这个是暂用了PFLASH的空间，不是额外的。这个空间只能在写1次，不能擦除，但是可以读取。这个是用来保存FLASH一些相关信息的。你不要对这个地方擦除和写操作。

flyingbird-3368 · 发表于 2011-12-30 11:18:10

那么按照1M空间来说吧，对于第二点回复：
那么这个由多少block组成？一个block由多少sector组成？sector由多少section组成？一个section有多大空间？
延续第三点，如果用户误操作了这一块的数据该如何恢复？还是说必须通过全片擦除来完成？比如Ezport方式。另外，就是关于flash protection的问题，4个fprot寄存器，每个寄存器可以配置8个regions，那么对于1M的pflash，每个region空间是多少？dflash有说明是32K，pflash无说明，难道也是32K，如果是这样，倒刚好组成1M。那么region又跟第二点是什么关系？

安 · 发表于 2011-12-30 15:31:45

1M的FLASH分为2个block，每个是512K，手册上没有标出详细的分配，我认为应该是8个sector，每个sector由256个section，每个section是256字节。
ifr是固定，擦除的时候，这段也不会擦除，而且FLASH擦除的时候是以sector为单位的。对ifr进行任何操作都无效。
未命名.jpg

flyingbird-3368 · 发表于 2011-12-30 17:36:13

为什么pflash不支持二次写入，也就是bit位的改变，1变0。像arm7就有很多flash支持二次写入功能。

flyingbird-3368 · 发表于 2011-12-30 17:56:35

回复第 4 楼于2011-12-30 07:31:45发表:
1M的FLASH分为2个block，每个是512K，手册上没有标出详细的分配，我认为应该是8个sector，每个sector由256个section，每个section是256字节。
ifr是固定，擦除的时候，这段也不会擦除，而且FLASH擦除的时候是以sector为单位的。对ifr进行任何操作都无效。

对于你说的8个sector，我觉得不合理，对于512K的空间来说，那就意味着每个sector有32k了？我觉得对于512K空间的flash，每个sector是2K比较合理。对于1M，是4K，但不敢肯定。不知道该如何去验证。

安 · 发表于 2011-12-30 19:56:41

pflash是支持多次写入的，这里说的是ifr，ifr和pflash是不一样的。

flyingbird-3368 · 发表于 2011-12-31 10:14:32

已经验证过了，pflash不支持二次写入，如果要二次写入，必须进行擦除，这就不是二次写入了。
另外，验证二次写入后，不进行校验，直接进行读pflash那个地址的数据，就进入异常状态，中断向量表中的3，硬件故障。为什么在读的时候报这个错？

安 · 发表于 2011-12-31 10:29:45

对于FLASH的操作，都是一样的，只能写一次。如果想再写，就需要执行擦除命令以后，才可以。这个是由于FLASH的本身机制决定的。IAP、bootloader都是使用类似的方法来做的。你发生错误，说明你操作了不应该操作的地址，读是不会发生任何错误的，只能发生在写的时候。

flyingbird-3368 · 发表于 2011-12-31 10:52:42

以前在操作51单片机，ARM7以及Cortex-M3芯片的时候，其Flash都支持二次写入。也就是FF可以写成任意一个非零值，比如88，然后还可以再写一次，这次写就只能是00了，这样对于应用方面就比较方便了。对于K60/K61/K70系列，只能做一次写入，是基于安全考虑？
另外，iap以及bootloader一般都是向flash写入可执行的hex或bin文件数据，一般不会进行微操作，但是对于app的话，操作flash就会用到微操作。
不过，FX倒是简化了这方面的操作，那么对于512K的K60，pflash是256K，dflash也是，如果dflash只用到128K，那么剩下的128k也可以作为pflash，但是FX系列产品，pflash与dflash地址不连续，那么在Keil编译器中irom就要分段设置了，对于cw和iar不熟悉，可能需要写分散加载文件。