楼主: scjiandan

[已解决] (已解决)KL25 Flash擦写

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发表于 2013-4-14 11:59:10 | 显示全部楼层 |阅读模式
 在KL系列数据手册中,Flash擦一个扇区需要时间14-114ms,请问,在这个擦过程中,芯片还能否执行程序或响应中断(擦的扇区未放程序代码)
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 楼主| 发表于 2013-4-14 21:45:24 | 显示全部楼层

回复:KL25 Flash擦写

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发表于 2013-4-15 10:06:44 | 显示全部楼层

RE:KL25 Flash擦写

如果扇区在同一个bank就不可以的。
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    发表于 2013-4-15 10:17:12 | 显示全部楼层

    RE:KL25 Flash擦写

    不能,中断或者其他的操作会打断擦写命令的。
    该会员没有填写今日想说内容.
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    发表于 2013-4-15 11:21:10 | 显示全部楼层

    RE:KL25 Flash擦写

    在进行sector擦除时,内核是可以继续执行代码和响应中断的,前提条件是所执行代码和中断服务程序必须要放在RAM中。
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    发表于 2013-4-15 11:48:55 | 显示全部楼层

    RE:KL25 Flash擦写

    哦,你用的是KL系列。KL系列只有一个bank,那样你说的这种操作就不能够运行了。
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    发表于 2013-4-15 15:05:01 | 显示全部楼层

    RE:KL25 Flash擦写(正解)

    如果你的程序是在RAM里运行的。那么就可以的。如果你的程序是放在Flash里面了,由于只有一个bank,那么就不可以了。
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     楼主| 发表于 2013-4-15 15:05:13 | 显示全部楼层

    回复:KL25 Flash擦写

    回复第 4 楼 于2013-04-15 18:17:12发表:
    不能,中断或者其他的操作会打断擦写命令的。
     
    谢谢大神!
     
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     楼主| 发表于 2013-4-15 15:05:44 | 显示全部楼层

    回复:KL25 Flash擦写

    回复第 7 楼 于2013-04-15 23:05:01发表:
    如果你的程序是在RAM里运行的。那么就可以的。如果你的程序是放在Flash里面了,由于只有一个bank,那么就不可以了。
     
    谢谢大神!
     
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    发表于 2013-4-15 15:55:09 | 显示全部楼层

    RE:KL25 Flash擦写

    呵呵,不是什么大神,大家一起探讨问题。如果已经解决你的问题,帮忙标注一下(以解决),谢谢。这样别的人进来就可以直接用这个结论了。多谢。
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