LPC5500系列flash擦写注意事项

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LPC5500系列flash擦写注意事项

       这篇文章为大家介绍LPC5500系列MCU擦写内部Flash时的一些注意事项。
LPC5500系列是NXP推出的基于Arm® Cortex® -M33的全新系列MCU。它的片内Flash与以往老的LPC MCU有较大区别，主要是集成了ECC功能。另外ROM API也较之前的LPC MCU有了很大变化。这篇文章注重介绍一些新手擦写LPC5500系列内部Flash时候容易出现的问题。

页和扇区大小

以下两点是基本事实：
所有LPC5500系列的Flash扇区(Sector)大小为32KB(可一次擦除32KB)。
所有LPC5500系列的Flash页(Page)大小为512字节(一次擦除/编程的最小单位)。

PFR区域

LPC5500系列使用内部Flash最后几页作为PFR(受保护Flash区域)。这片区域存储着一些非常重要的信息(比如芯片的默认配置，与加解密有关的秘钥Key等)。


这片区域不能被当做普通Flash来用，更不能被随意擦除、改写。
PFR区域定义如下（注意，不同型号版本，PFR区域的位置和大小都是不一样的）：

由上图可以看出：


1.LPC55S6x/LPC55S2x的PFR区域占用10KB，位于0x0009_D800 ~ 0x0009_FFFF
2.LPC55S1x的PFR区域占用12KB，位于0x0003_D000 ~ 0x0003_FFFF


从这里还可以看出如下事实：
1.对于LPC55S6x/LPC55S2x 256KB/512KB的产品：可用的Flash总大小为256/512KB
2.对于LPC55S6x/LPC55S2x 640KB的产品：可用的Flash总大小为630KB
3.对于LPC55S1x  64KB/128KB的产品：可用的Flash总大小为 64/128KB
4.对于LPC55S1x 256KB的产品，可用的Flash总大小为244KB

编程Flash

LPC5500系列的内部Flash集成了ECC管理功能，包含单比特错误校验和记录功能。


但是这个特点会造成一个问题，就是如果用AHB读方式(比如memcpy)去访问一块被擦除的空Flash, 会造成HardFault。见UM原文：

所以, 在读取Flash内容的时候建议先调用ROM API: Flash_VerifyErase 先确定这个Page是否是全擦除状态，如果是全擦除状态，则数据全部为0xFF，如果不是全擦除状态，则正常AHB读取Flash内容即可。


另外，LPC5500系列要求擦写Flash的时候主频必须<= 100Mhz，而且使用ROM API Flash_Program和Flash_Erase的时候，要求填进去的起始地址和长度必须是Page对齐。这两点需要格外注意。

总结

1.擦写Flash时，必须保证主频一定要<=100Mhz，否则会造成擦写flash失败
2.注意不要误删除PFR区域：尤其是不要调用SectorErase(擦除扇区32KB)直接去擦除最后一个Flash扇区。一旦调用，最后32KB被擦掉，PFR被破坏，MCU变砖。
3.建议使用ROM API去操作flash，这样可以确保不会误擦除PFR，不建议直接使用FLASH控制器的寄存器去擦写Flash。
4.注意对齐问题：ROM API的Flash_Program和Flash_Erase函数的起始地址和长度都必须Page(512B)对齐

5.SDK中的例程：\boards\lpcxpresso55s28\driver_examples\flashiap 提供了非常好的Flash编程范例， 强烈建议参考。




文章出处：恩智浦MCU加油站

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eefocus_3919659

你好，LPC2144FBD64烧录加密后，想擦除再烧录，就无法操作，直接擦除不了。能有办法解决吗

eefocus_3932903

要主频低于100M才能擦写，是个问题，在软件运行中无法使用保存参数的功能