mc9s08dz60由FEI模式进入PEE模式出现问题

onesky · 发表于 2010-6-4 15:10:28

请教!mc9s08dz60复位时进入FEI模式,寄存器如下设置
    CLKS 位写入00
•   IREFS位写入 1
•   PLLS 位写入0
•   RDIV 位写入 000
写MCGC1=0x04,然后写MCGC2=0x36 在等待MCGSC的OSCINIT位时MCGSC=0x80 OSCINIT位始终不置位! 是外部晶振电路的问题吗? 晶振=4M 电容=20pF,并联电阻=10m,串联电阻=330K. 电阻,电容均为贴片类型.

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安 · 发表于 2010-6-4 15:27:52

手册里面有例程，你根据流程图一步一步的操作，就能进入PEE模式。

onesky · 发表于 2010-6-4 15:42:57

版主你好!我就是按照手册上的步骤在做.当MCGC2=0x36,然后再去判断MCGSC的OSCINIT位时,OSCINIT始终为0,此时MCGSC=0x50,然后就进行不下去了.FEI模式工作正常.

安 · 发表于 2010-6-5 08:32:10

手册上面说的是8M晶振，你是4M，是否需要修改寄存器的值。

onesky · 发表于 2010-6-5 17:37:26

我换个晶振试试!

onesky · 发表于 2010-6-6 22:28:22

换了个32.768K的晶振,顺利进入FEE模式.然后换回4M晶振又进入不了FEE模式了,是不是外围的电阻容量有问题呀?

安 · 发表于 2010-6-7 08:31:11

应该不是，你把总线时钟配置到高点的时钟。你是否配置了总线时钟？

achao86926 · 发表于 2010-6-16 17:40:47

我的板子也遇到了同样的问题，外部8M晶振，等待OSCINIT置位，可它始终为0。一开始怀疑晶振未起振，但换了新的还是不行，急啊！！

onesky · 发表于 2010-6-27 10:00:11

问题找到了!以前我和晶振串联的电阻用的是330K后来降到150K,75K均不行,降到10K后4M晶振顺利启动.当然不加这个电阻,直接短路也可以.和晶振串联电阻常用来预防止晶振被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振早期失效。也就是说这个电阻是限制晶振的振荡幅度的,振荡幅度太高晶振容易过早老化.

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