关于QG4 FLASH编程延时问题

windy2007

在对FLASH某地址进行写入一个数时，加了一个延时，我现在遇到点问题搞不明白，就是在操作完FCMD和FSTAT这两个寄存器之后的延时，如果我单用NOP来延时就可以将数据成功写进到指定地址的FLASH里面，但需要一百多个NOP才能写进去，如果我用FOR循环语句来做延时（足够长的延时）则无法将数据成功写入到FLASH里面，后来改用调用子函数的方式（子函数里面只有三十个NOP，调用四次，同样无法将数据写入到FLASH里面，这是为什么呢？
我的参数为：
总线时钟为4MHZ，
FDIV=0x13;
FSTAT=FSTAT|0x30;
(*((volatile unsigned char *)(0xffb0)))=write_value;
FCMD=0x20;
FSTAT|=0x80;
之后是延时（如果在这里用单纯NOP来作延时就可以成功写，用其他方式就无法成功地将数据写入到FLASH里面）
这是为什么呢
 

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安

如果用FOR循环，可能是编译器给优化了。

windy2007

但我看过编译后的汇编代码，并没有发现被优化啊，而且我用调用子函数的方式编译器也没有作出优化，我试过单步执行观察它的汇编代码，发现程序是正常运行的，并没有出现什么问题

安

还有，在FLASH操作时，要关闭中断。你关闭了没有。

windy2007

我试过关闭中断，结果还是一样，而且我调试时发现如果用FOR循环，当程序停下来后停止的位置并不是在这个FOR循环里面，而是停在了另外一个循环里面，我在程序里只用到SCI和MTIM两个中断源，这时我把这两个中断源都关闭了，而且还把总中断使能开关关闭了，但结果就是不行