MC9S12DG128B的EEROM和FLASH读写

nihaov

 有谁写过MC9S12DG128B的EEROM和FLASH来存现场数据的吗？？下面这段对吗？？？谢谢指教啊！
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                   EEPROM初始化
*************************************************/
void EEPROM_init(void)
{
    ECLKDIV=0x50;                   // 采用8分频ECLK=22.1184M/8/16=172.8K
                                   
    ECNFG=0x00;                     // 禁止EEPROM相关操作的中断
    while(!ECLKDIV_EDIVLD);     // 等待时钟设置成功
    EPROT_EPOPEN=1;                 // EEPROM没有保护，可以进行编程与擦除 
    EPROT_EPDIS=1;                  // EEPROM保护禁止
}
/*************************************************               
                写EEPROM程序
     
Addr：  要操作的EEPROM偏移地址
Data：  要操作的EEPROM数据
OpType：操作命令类型                      
*************************************************/
void EEPROM_write(volatile word * Addr,word Data,byte OpType)
{
    DisableInterrupts;
    while(!ESTAT_CBEIF);        // 等待EEPROM命令缓冲器为空
    *Addr=Data;                     // 设置EEPROM的偏移地址
    ECMD=OpType;                    // 指令的类型
    ESTAT |= 0x80;                  // 清命令缓冲标志,开始执行命令
    while(ESTAT_CCIF == 0);         // 等待命令完成
    EnableInterrupts;                                                                                                                                                                                                                                                   
}
/*************************************************               
                读EEPROM程序
               
Addr：  要操作的EEPROM偏移地址
返回值：读到的结果数据                   
*************************************************/
uint EEPROM_read(volatile word * Addr)
{
    word TempData;
    DisableInterrupts;
    TempData=*Addr;                 // 读EEPROM的偏移地址的数据
    EnableInterrupts;
    return(TempData);
}

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龙丘

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