M9S12XET256的2种EEPROM读写问题

mingmingkk-2477

M9S12XET256的2种EEPROM有2种EEPROM。一种是Dflash模拟的EEPROM。地址D_Flash(0x100000~0x107FFF)，这个读写没问题。就是要加缓存保护，速度较慢，
另外M9S12XET256还有自己的4K的EEPROM，地址（0x13F000~0x13FFFF)这块是通过RAM做缓存的，
 
用软件处理器专家生成的程序，我读写RAM缓存都没问题。用仿真器看0x13F000~0x13FFFF中的数据也的确写进去了，但是一断电重上，0x13F000~0x13FFFF的数据就乱了啊，每次上电复原的数据都是一样的，很奇怪是不是0x13F000~0x13FFFF这块的数据不能保存？？？
 
EEPROM          = READ_WRITE  DATA_NEAR            0x0800 TO   0x0FFF;

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安

你操作的这段空间是不对的，这段应该是RAM中的位置，复位以后，这些都还原为默认值。
应该操作的是：
/* paged EEPROM                                        0x0800 TO   0x0BFF; addressed through EPAGE */
      EEPROM_00     = READ_ONLY   DATA_FAR IBCC_FAR  0x000800 TO 0x000BFF;

jinwei9999

我这久也在学习这块的内容，我认为的是你说的2种，其实第一种方式是直接利用D_FLASH来存储数据，直接依靠地址来写入和读取就可以了，而EEE，则是利用划分BUFFER_ROM作为EEE_ROM，划分D_FLASH作为EEE_FLASH来读写的。我们直接操作的是EEE_ROM区域，数据写入EEE_ROM后对应的D_FLASH（EEE_FLASH）会相应的执行存储数据，而该数据是包含标识符和数据的内容一起存储的，而且是循环存储的，就像水管里的水。写入后你会发现2个地方存储了数据，就是EEE_ROM,EEE_FLASH。但是断电后只有EEE_ROM的内容消失，当再次上电后最优先的是讲EEE_FLASH的数据考到对应的EEE_ROM里面。你可以再次烧写但是不运行程序，去观察对应的EEE_ROM。

jinwei9999

我这久也在学习这块的内容，我认为的是你说的2种，其实第一种方式是直接利用D_FLASH来存储数据，直接依靠地址来写入和读取就可以了，而EEE，则是利用划分BUFFER_ROM作为EEE_ROM，划分D_FLASH作为EEE_FLASH来读写的。我们直接操作的是EEE_ROM区域，数据写入EEE_ROM后对应的D_FLASH（EEE_FLASH）会相应的执行存储数据，而该数据是包含标识符和数据的内容一起存储的，而且是循环存储的，就像水管里的水。写入后你会发现2个地方存储了数据，就是EEE_ROM,EEE_FLASH。但是断电后只有EEE_ROM的内容消失，当再次上电后最优先的是讲EEE_FLASH的数据考到对应的EEE_ROM里面。你可以再次烧写但是不运行程序，去观察对应的EEE_ROM。

wdl1840

回复第 2 楼 于2011-07-19 15:26:15发表:
你操作的这段空间是不对的，这段应该是RAM中的位置，复位以后，这些都还原为默认值。
应该操作的是：
/* paged EEPROM 0x0800 TO 0x0BFF; addressed through EPAGE */
EEPROM_00 = READ_ONLY DATA_FAR IBCC_FAR 0x000800 TO 0x000BFF; 

我觉得这部分地址，已经映射到RAM中了，也就是说，对RAM地址的操作与操作全局地址是一样的。我正好也调试这个程序，一直没有调试通过，很郁闷的。