请教一个S12XS128 DFLASH的问题~~~

CaBird · 发表于 2011-7-25 16:06:38

按手册上说的方法写成功了。
  但问题来了，照手册上说DFlash的全局（物理）地址算出是：0x10_0000 - 0x10_1FFF。我在写的时候也是这个范围，然后调试时也在这个范围找到了我写的东西，到这里似乎没什么异常。
  然后再看手册，说DFLASH是分页的，8K分为8页，页寄存器EPAGE复位值是0xFE，说是为了保持地址连续，而且后面也说还有一个未分页的DFLASH空间，即是逻辑地址从0x0C00 - 0x0FFF,对应的页寄存器值为0xFF.这个倒是和PLASH.RAM是一致的。
  然而在调试时发现0x0C00 - 0x0FFF根本是不存在的！！然后再看*.prm文件，更茫然了：
   EEPROM_00    = READ_ONLY DATA_FAR IBCC_FAR  0x000800 TO 0x000BFF;
   EEPROM_01    = READ_ONLY DATA_FAR IBCC_FAR  0x010800 TO 0x010BFF;
   EEPROM_02    = READ_ONLY DATA_FAR IBCC_FAR  0x020800 TO 0x020BFF;
   EEPROM_03    = READ_ONLY DATA_FAR IBCC_FAR  0x030800 TO 0x030BFF;
   EEPROM_04    = READ_ONLY DATA_FAR IBCC_FAR  0x040800 TO 0x040BFF;
   EEPROM_05    = READ_ONLY DATA_FAR IBCC_FAR  0x050800 TO 0x050BFF;
   EEPROM_06    = READ_ONLY DATA_FAR IBCC_FAR  0x060800 TO 0x060BFF;
   EEPROM_07    = READ_ONLY DATA_FAR IBCC_FAR  0x070800 TO 0x070BFF;
这是CW定义的，按它定义的方式，前边两个表示页寄存器值，后边表示逻辑地址。所以根本不存在未分页的DFLASH。
此外，我在调试时，写的是逻辑地址0x10_0000开始的一段内容，在全局地址里可以找到，但是转换到逻辑地址下，根本找不到我写的东西。。。按照DS上写的，此物理地址对应的逻辑地址应该是0x13FC00开始，倒是这本身就和DS前面的描述矛盾了。。。
  看了看飞思卡尔的手册更新，也没有这部分的更新，哎。。。。

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