mc9s12xep100写EEROM问题

jen-385781

有谁知道，上述芯片向EEE里写一个字节需要多长时间啊？还有如果已向EEE中写了一组数据，然后再赋值给ＥＥＥＲＡＭ一组跟上面相同的数据，EEE还是会逐个写吗？请大家知道的快点回复我，着急，谢谢啦

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安

对于EEE写入的时间，还是需要你去看一下手册。他的工作方式，手册中也很明确的说明了。

jen-385781

谢谢安老师的回答，可是我在手册中没有找到这方面的信息啊

安

Programming or erasing the Flash memory cannot be performed if the bus clock runs at less than 1 MHz. Setting FDIV too high can destroy the Flash memory due to overstress. Setting FDIV too low can result in incomplete programming or erasure of the Flash memory cells.、
这里说明了擦除和写入时间。

liufan2007

EEPROM的写入时间和由FLASH模块的时钟决定，你可以看数据手册中的相关寄存器可以查阅到，还有你说的写入一组数据后，然后再写入一组数据是否是逐个写入，是这样的，如果你使用了FREESCALE官方的模拟EEPROM的代码的话，写入时是逐个写入的，因为这个代码是对DFLASH的底层操作和循环写入算法的一个封装，只要按照自己的需求配置好相关的宏定义，然后用户直接调用相关的函数接口就可以实现EEPROM的功能，而不用管DFLASH的底层操作的，假如你直接操作DFLASH的话，是无法实现你说的这个功能的。

xu944789415

liufan2007 发表于 2012-11-14 12:20
EEPROM的写入时间和由FLASH模块的时钟决定，你可以看数据手册中的相关寄存器可以查阅到，还有你说的写入一 ...

您好！我也是ep100，我看了您说的官网例程，想咨询您点问题。我模拟的是4k，模拟的地址是13f000-13ffff，对应到的分页地址是fc。fd，fe。ff。  ff分页和不分页的eeprom对应的全局地址是一样的，为什么写入数据只能从130800写到13ffff。为什么13f000到1307ff写不进去，但是这块也可以擦出，不理解您的写入函数只能写800-fff的，再往这个地址前面写的话，就写到i/o口寄存器了，那么13f000到1307ff怎么写入数据？