关于Flash同时读写的问题（已解决）

无悔的湖光

当Flash正在进行读操作时，对Flash进行写操作，会引起芯片复位，请问这个复位是什么复位？
我的具体的做法是这样的，我开了一个tpm定时器中断，tpm模数寄存器值设的是最大的，也就是说寄存器是一直在运行的，间隔一段时间进行一次中断，同时，我对Flash进行写操作，但是一写芯片就复位了。

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无悔的湖光

补充：在进行Flash命令的时候不能对Flash读写进行操作？一写就复位

FSL_TICS_Kan

如果你的代码是在flash里运行的，这样操作是有可能会产生问题的，如果内部的flash只有一个block，代码运行和你要擦写的位置在一个block里，那对flash操作的程序必须放在SRAM里运行，当然如果存在两个block,block 0运行代码，block 1是flash操作的对象，那么就没有上述的问题。

安

对flash的操作，要先将代码拷贝到RAM中执行，对于如何实现拷贝代码到RAM，建议参考例程。

无悔的湖光

回复第 4 楼 于2013-05-04 00:57:13发表:
对flash的操作，要先将代码拷贝到RAM中执行，对于如何实现拷贝代码到RAM，建议参考例程。
对于您的回答，我感到有点疑惑，您的意思是说把对flash擦写操作的这段代码放到RAM区吧，但是即使这样，flash擦写的这段代码还是在对flash存储器进行擦写操作啊，这段时间由CCIF=0到CCIF=1这段过程决定，如果这时你有一个中断过来，就相当于对Flash进行了读操作。这样还是不行啊。
 

安

在FLASH擦除的时候要关闭中断，如果被打断，FLASH擦写会失败。因为FLASH不支持自己对自己的擦写，所以需要将代码拷贝到RAM中执行，进行擦写flash的操作。

无悔的湖光

回复第 6 楼 于2013-05-04 17:37:19发表:
在FLASH擦除的时候要关闭中断，如果被打断，FLASH擦写会失败。因为FLASH不支持自己对自己的擦写，所以需要将代码拷贝到RAM中执行，进行擦写flash的操作。
KL25杂项控制模块里面有一个平台控制器，只要置ESFC位，开中断也没有问题了。