KL25Z128的Flash擦写操作（已解决）

tianchaic

下面是我的code
unsigned char
Flash_SectorErase(uint_32 *FlashPointer)
{
    unsigned char Return = Flash_OK;
    uint_32 FlashPtr = (uint_32)FlashPointer;
    /* Allocate space on stack to run flash command out of SRAM */
    /* wait till CCIF is set*/
    while (!(FTFL_FSTAT & FTFL_FSTAT_CCIF_MASK))
    {;}
   
    /* Write command to FCCOB registers */
    FTFL_FCCOB0 = FlashCmd_SectorErase;
    FTFL_FCCOB1 = (uint_8)(FlashPtr >> 16);
    FTFL_FCCOB2 = (uint_8)((FlashPtr >> 8) & 0xFF);
    FTFL_FCCOB3 = (uint_8)(FlashPtr & 0xFF);
FTFL_FSTAT |= 0x80;   
    /* wait for command completion */
 while (!(FTFL_FSTAT & FTFL_FSTAT_CCIF_MASK)) {};
}
每次运行到：FTFL_FSTAT |= 0x80; 
   不管我给的的参数是多少都没用，MCU肯定 复位，求高手指导!!

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安

代码是否拷贝到RAM中执行了？

tianchaic

没有，因为我有个代码拷贝到RAM中的历程，
   flashCmdSize = 0x200;
    flashCmdFr = (UINT32)FlashCommandSequence - 1;
    flashCmdTo = (UINT32)__ram_for_command_sequence_func;
    for(i=0;i < flashCmdSize;i++)
    {
       value = READ8(flashCmdFr);
       flashCmdFr++;
       WRITE8(flashCmdTo, value);
       flashCmdTo++;
    }
    pFlashCommandSequence = (pFLASHCOMMANDSEQUENCE)((UINT8 *)__ram_for_command_sequence_func + 1);
这样的话，在For循环里面也会复位MCU，我不知道为什么。。。

tianchaic

我想把2个Demo合并成一个，但他们的.ld文件里面的配置不一样，所以会有这种问题。。

安

很可能是因为你没有拷贝到RAM中执行的原因。官方例程有对与FLASH操作的例程。

tianchaic

我单独用官网的Demo，是可以对Flash进行操作的。
但我把这个Demo和我的代码合并在一起使用，就不OK了。（我的代码是使用的USB stack里面的，有PE插件）
我发现2个Demo里面的ld不一样，但我看都看不懂ld文件，有这种文件的指导说明书之类的吗？