k21 DFLASH问题

weirong-410263

 partition_flash(EEPROM_2K_2K, DFLASH_SIZE_32); //4K eerom 32kDATAFLASH
 write_EEROM_bytes(0x00,fmcwrite,4);
  read_eerom_bytes(0x00,fmcread,4);
  FLASH_Write(0x10000000,4,fmcwrite);
  FLASH_Read(0x10000000,4,fmcread);
EEPROM 操作地址从 #define EEROM_START_ADDR 0x14000000
EEPROM现在是可以用的 
DFLASH 32K 起始操作地址从哪里开始 由于FlexNVM的地址是从0X1000_0000 开始的 
但是我操作该地址 会锁住FLASH 每次需要解锁 
FLASH_Write （）函数里有定义在RAM里执行

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weirong-410263

我发现如果用0x10000000 地址操作是不行的 原因 FLASH的擦除和编程操作地址只有24位 FCCOB1，2，3 如果操作了0X10000000 等于是操作了0x000000地址 所以才会有问题 请问操作DFLASH和PFLASH是一样的吗

weirong-410263

DFLASH_Write(0x800010,8,fmcwrite);
  FLASH_Read(0x10000010,8,fmcread);