MPC5554 Flash 编程遇到的问题(已结)

seawwh

               MPC5554 Flash 编程遇到的问题(已结)
1. MPC5554片内的Flash有2个区域，0x000000~0x07FFFF的低512K区域和
 0x080000~0x1FFFFF 的高1.5M区域。这两个区域使用PE 的MultiLink 编程擦除均正常。

2. 采用下面的代码编程高地址区域，没有问题；
  if(FLASH.HLR.B.HBE==0 )
    FLASH.HLR.R=0xB2B22222; // Unlock
  FLASH.HLR.R =0;
 
  FLASH.MCR.B.PGM=1;
  T1=FLASH.MCR.B.PSUS; 
  Adr=0x00080020;         //高区域
  *((u32 *)Adr)=0x22223333;
  FLASH.MCR.B.EHV=1;
  while (FLASH.MCR.B.DONE==0) {};
  FLASH.MCR.B.EHV=0;
  FLASH.MCR.B.PGM=0;
3. 采用下面的代码编程低地址区域，没有成功；
  if(FLASH.LMLR.B.LME==0)  
    FLASH.LMLR.R=0xA1A11111; // Unlock
  FLASH.LMLR.R =0; 
  FLASH.MCR.B.PGM=1;
  T1=FLASH.MCR.B.PSUS; 
  Adr=0x00000020;         //低区域
  *((u32 *)Adr)=0x22223333;
  FLASH.MCR.B.EHV=1;
  while (FLASH.MCR.B.DONE==0) {};
  FLASH.MCR.B.EHV=0;
  FLASH.MCR.B.PGM=0;
  请教FAE这段代码的问题所在， 谢谢！

我知道答案 目前已有3人回答

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fishman989898

这东西是ECU芯片啊，想和你交流下qq:1375283298

pyh921

为什么我不能发贴呢？提示要加入论坛，怎么加入呢？

seawwh

问题已得到解决。

seawwh

  出现问题的原因是，对于低区和中区的Flash来说，有两个编程保护寄存器，而我只是解锁了其中一个寄存器，因而导致写入失败。
对于高区Flash只有一个编程保护寄存器。