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尊敬的安大神及诸位其他大神们:
在下在使用S12XEP100单片机外部总线时遇到了一些问题,请诸位予以指导。谢谢。
前提1:S12XEP100的外部总线空间是CS1处于0x20_0000~0x3F_FFFF之间,CS2是处于0x14_0000~0x1F_FFFF之间的。而CS0和CS3的空间与FLASH和RAM的空间有关。
前提2:S12XEP100有3个模式设置引脚MODC,MODB,MODA。当分别为101时设置为normal expanded mode,外部总线有效。
现状:我有一个外部SRAM接了A0~A18地址总线,D0~D15数据总线和CS1片选线。SRAM型号为ISSI IS61LV51216。
问题1:如何配置外部总线?是不是只要使引脚MODC,MODB,MODA为101即可?还要不要对PORT进行设置?还有没有其他设置?当外部引脚设置为101后,无法使用codewarrior的HIWAVE(绿色箭头)通过BDM进行调试(下完程序后,所有窗口都是空白),为什么?
问题2:如何对这个外部SRAM进行读写?是否直接在程序中使用全局地址如0x20_0010对SRAM进行读写?直接定义(*(volatile word *)0x20_0010)是不是就行了?
问题3:我的外接SRAM为512K*16,按理应该处于0x20_0000~0x2F_FFFF,但是为什么只在0x20_1000~0x20_3200之间进行写入读出比较时正确呢?(由于无法调试,所以在200ms中断里写,在50ms中断里读,读写一致时闪烁一个LED灯。)在其他处于0x20_0000~0x2F_FFFF范围的空间里LED灯不闪烁。
请安大神及其他诸位大神指导我正确的外部总线配置方法和读写使用方法。如果能提供一个S12X系列的外部总线例程就更好了。我到处都找不到这样的例程。官网上的资料都只是硬件的连接和时序的分析。
谢谢指导,感激不尽。
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