flash模拟e2,写数据错？？？

wminh

在用s08sc4的8位片子，参考网上查找的用flash模拟eeprom的方法，用s08sc4的flash模拟eeprom。仿真运行的时候，读、写flash都是成功的，但是只有第一次写flash是正确的，读回来的和写入的是数据一致。
当在同一地址上再写其他不同的数据时，发现读回来的数据和写入的数据不一致，可以肯定的时候读没有问题，所以写的数据出错。
为什么只有第一次写是ok的，第二次，第三次写就不正常呢？
求各位高手指点指点啊！！！！
代码如下：
/***********************************************************************
#define  FlashData       FlashMem[6]                         // ,
#define  FlashAddr       (*((word *)(&FlashMem[8])) )          // ,
#define  FlashCmd       FlashMem[11]                        // ,   
#define  RunFlashCmd    ((void (*)(void))((word)FlashMem))     // 
byte FlashMem[32] =
{
    0xA6,0x10,0xC7,0x18,0x25,0xA6,
    0x00,0xC7,0xFD,0x00,0xA6,0x20,0xC7,0x18,0x26,0xA6,
    0xC0,0xC7,0x18,0x25,0x9D,0x9D,0x9D,0x9D,0xC6,0x18,0x25,0xA5,0x40,0x27,0xF9,0x81
};
void flash_byte_write(word add,byte sdata)
{
   byte data=sdata;
   __RESET_WATCHDOG();
   DisableInterrupts;
   FlashData = data; // 更新数据
   FlashAddr = add;  // 更新地址
   FlashCmd = 0x20;  // 字节编程命令: 0x20
   RunFlashCmd();    // 32字节程序入口
   EnableInterrupts;
}
void flash_Sector_erase(word add)
{
  __RESET_WATCHDOG();
  DisableInterrupts;
  FlashAddr = add;       // Flash地址 
  FlashCmd = mPageErase; // 扇区删除命令: 0x40
  RunFlashCmd();         // 32字节程序入口
  EnableInterrupts;
}
byte flash_byte_read(word add)
{
  byte tempbyte;
 asm{
       LDHX add
       LDA  ,X       //读取地址到数据变量
       STA  tempbyte
     }
  __RESET_WATCHDOG();
 return tempbyte;
}

void E2_read_data(word add,byte len)
{
 byte i;
 word addr;
  addr=add;
 __RESET_WATCHDOG();
 for(i=0;i

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wminh

问题已解决，擦除FLASH延时时间不够

xinyinzhou

恩，看到这个题在FAE版块以及解决了。