关于Flex模拟EEPROM的一些问题。

blackfire531

 最近使用EEPROM，用demo例程中的分区之后，
关于K30DX256Vll7这款芯片的EEPROM，我有几个疑问，麻烦解答下：
 
[size=11.8181819915771px] 1. 现在分区成了2KB+2KB，已经可以使用2KB的空间，那么请问下，另外的2KB该怎样访问？
1.       2. 在AN4282.pdf中，我看到一个计算耐受能力的公式：

那么这个片子的E-flash是不是256KB（这个空间独立于ROM）？
分割系数怎么计算？（假设我们使用2048字节的EEPROM）。
 
2.       3. E-flash， EEPROM backup, EEROM size 三者之间的关系是什么？
 
3.       4. 假设我们需要存储的数据量是1.5KB，那么就需要把EEPROM的大小设置为2KB，那么是否更改这1.5KB数据中的任何一个字节，协处理器就会自动把这写数据全部重写到另一块空闲区域(2KB)？还是说只会把被修改数据所在扇区的数据重新写到另一块空闲区域？

我知道答案 目前已有0人回答

阅读全文

blackfire531

FAE都出差了么？
自己顶下。