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[其他] 为什么XEP100FLASH对同一个地址不能写两次

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发表于 2014-12-31 15:47:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

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1970-1-1
发表于 2015-1-4 16:31:58 | 显示全部楼层
可能是已经运行过了无法回到之前
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  • TA的每日心情
    开心
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    [LV.10]以坛为家III

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    发表于 2015-1-4 18:22:38 | 显示全部楼层
    是不是写之前没有清空
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  • TA的每日心情
    无聊
    2019-4-1 22:48
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    [LV.8]以坛为家I

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    发表于 2015-1-4 21:59:07 | 显示全部楼层
    不是清空的问题,可能是地址冲突
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    1970-1-1
    发表于 2015-1-4 23:03:19 | 显示全部楼层
    每次写都需要擦除了再写,如果擦除了,是不是两次写操作间隔太短了?
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    发表于 2016-2-1 16:15:34 | 显示全部楼层
    你好,我正好在调试xep100的pflash模块,但是寄存器配置后没办法实现对pflash的数据写入和读取,你的代码能分享一下吗,感激!
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    2016-11-16
    发表于 2016-3-7 23:29:53 | 显示全部楼层
    NOR Flash只以对段、块的方式进行擦除(全置为1状态),却可以以位、字节、字的方式变为0,也就是说进行一次Flash擦除后,若未再次进行整段或整块擦除,则该段或该块的变化方向是单方向的 1-->0。BDM仅在开始时对FLash、EEPROM进行了整片擦除,若在BDM写入程序后再进行擦除(最小的segment擦除:1k),你愿意为了1个字节的变化而去擦除相邻1k空间内的数据吗?
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