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[S12] D_Flash程序修改 芯片改成MC9S12HY64

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发表于 2015-7-15 12:02:20 | 显示全部楼层 |阅读模式
#include <hidef.h>      /* common defines and macros */
#include "derivative.h"      /* derivative-specific definitions */

#define READword(address)     ((unsigned int)(*(volatile unsigned int *__near)(address)))

#define DFLASH_LOWEST_START_PAGE        0x00        //定义data flash的起始页
#define DFLASH_START                    0x00100000  //定义data flash的起始地址
#define DFLASH_PAGE_SIZE                0x0400      //定义data flash的大小为1K.
#define DFLASH_PAGE_WINDOW_START        0x0800      //定义data flash页面窗口的起始地址
#define LEDCPU PORTK_PK4
#define LEDCPU_dir DDRK_DDRK4

unsigned int    Buffer[]={0x1111,0x2222,0x3333,0x4444};//数据缓存区,只能一次写入四个数据
unsigned int    data_Address=0x0000;
unsigned int    date_read[4];

/*************************************************************/
/*                      初始化DFLASH                         */
/*************************************************************/
void DFlash_Init(void)
{
   while(FSTAT_CCIF==0);            //等待正在处理的FLASH操作完成
   FCLKDIV=0x0F;                    //外部晶振为16M.FLASH时钟不超过1M,具体参照手册
   FCNFG=0x00;                      //禁止中断
   while(FCLKDIV_FDIVLD==0);        //等待时钟设置成功
}

/*************************************************************/
/*                     向DFLASH写入数据                      */
/*************************************************************/
void DFlash_Write(word ADDR16)
{
    while(FSTAT_CCIF==0);
    if(FSTAT_ACCERR)           //判断并清除标志位;
        FSTAT_ACCERR=1;
    if(FSTAT_FPVIOL)           //判断并清除标志位;
        FSTAT_FPVIOL=1;
    FCCOBIX_CCOBIX=0x00;
    FCCOB=0x1110;         //写入命令和高位地址
    FCCOBIX_CCOBIX=0x01;  //地址后16位
    FCCOB=ADDR16;         //写入低16位地址
    FCCOBIX_CCOBIX=0x02;  //写入第一个数据
    FCCOB=Buffer[0];
    FCCOBIX_CCOBIX=0x03;  //写入第二个数据
    FCCOB=Buffer[1];
    FCCOBIX_CCOBIX=0x04;  //写入第三个数据
    FCCOB=Buffer[2];
    FCCOBIX_CCOBIX=0x05;  //写入第四个数据
    FCCOB=Buffer[3];  

    FSTAT_CCIF=1;         //写入执行命令
    while(FSTAT_CCIF==0); //等待执行完毕
}

/*************************************************************/
/*                     由DFLASH读取数据                      */
/*************************************************************/
word DFlash_Read (word destination)
{
    byte   lastepage;          //用于存储EPAGE的值
    byte   epage;              //用于计算EPAGE的值
    unsigned int data;         //读取出的数据

    lastepage = EPAGE;   //保存EPAGE的值

    epage = (byte)((DFLASH_LOWEST_START_PAGE)+(destination >>10));   //计算EPAGE
    EPAGE=epage;                                                     //给EPAGE赋值

    data = READword((destination & (DFLASH_PAGE_SIZE - 1)) + DFLASH_PAGE_WINDOW_START);  //读取页面窗口中的数据

    EPAGE= lastepage;       //恢复EPAGE的值

    return(data);
}

因为我设计汽车仪表时成本控制,用D_Flash代替EEPROM。

请问芯片改成了MC9S12HY64 以上程序如何修改。



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发表于 2015-7-16 09:19:23 | 显示全部楼层
你原来是什么芯片,如果原来也是16bit MCU的话,Flash模块应该差别不大,移植起来应该挺方便的
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 楼主| 发表于 2015-7-16 10:16:51 | 显示全部楼层
原来是MC9S12XET,我移植了,地址错误,芯片锁了。
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 楼主| 发表于 2015-7-17 12:28:58 | 显示全部楼层
请专家出手移植一下。
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 楼主| 发表于 2015-7-20 12:03:08 | 显示全部楼层
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