楼主: 小七

[在线活动] 【预告】Kinetis的板子,准备征集飞友写评测,板子资料+图

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  • TA的每日心情
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    发表于 2015-7-22 00:00:23 | 显示全部楼层
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    发表于 2015-7-22 00:02:38 | 显示全部楼层
    七姐那里还有什么好东西统统拿出来
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    发表于 2015-7-22 07:02:46 | 显示全部楼层
    架个摄相机跟云端平台
    互联网上大家一起测如何
    只是这样没办法加外设
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    发表于 2015-7-22 07:22:39 | 显示全部楼层
    必须支持啊!报名KL02.
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    发表于 2015-7-22 08:33:29 | 显示全部楼层
    秀下板子照片嘛,我也对k系列的感兴趣
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    发表于 2015-7-22 08:37:47 | 显示全部楼层
    我也想申请K20d50m测评哦,这个也是可以的哦
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  • TA的每日心情
    奋斗
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    发表于 2015-7-22 09:16:40 | 显示全部楼层
    K20D50M还没有见过,不知道有哪些新功能。
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  • TA的每日心情
    奋斗
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    [LV.3]偶尔看看II

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    发表于 2015-7-22 09:23:26 | 显示全部楼层
    先抢再评。。。
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    发表于 2015-7-22 09:28:20 | 显示全部楼层
    群主先收集下资料吧,我们一起上啊
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    发表于 2015-7-22 09:31:28 | 显示全部楼层
    可以参考下爱板网的测评

    就如苹果,三星在消费类电子产品中可争议的霸主地位,ARM在移动处理器平台首屈一指。全球知名半导体商采用ARM架构内核的CPU,MCU等数不胜数,ATMEL第一时间推出了基于ARM Cortex-M4内核的MCU的ATSAM4S16C以其配套的开发板SAM4S Xplained,爱板网也随后对SAM4S Xplained做了评测。如今SAM4S Xplained开发板已逐渐被大家认识,甚至很多网友都拿到了爱板网论坛活动送出的板子进行开发学习。为了让大家能更好的了解板子,开发板子,爱板网为大家奉上 SAM4S Xplained的硬件解析。

    首先回顾一下SAM4S Xplained



    产品特点

    Atmel AT91SAM4S16C微控处理器
    板载J-LINK的OB调试解决方案
    8M的SRAM
    空贴的Atmel 的AT25DF系列工业标准的串行闪存
    爱特梅尔QTouch®滑块
    高速USB设备端口
    一个用户按钮
    一个复位按钮
    一个电源LED
    两个用户LED
    板载12MHz晶振
    JTAG状态指示灯
    功率LED
    两颗LDO
    最基本的核心大脑—MCU ATSAM4S16C

    xplained2

    ATSAM4S16C基于ARM 最新Cotex-M4处理器,具有低功耗,低成本,高效信号处理的特点,在MCU越来越追求低耗高效的今天,ARM无疑在刷新着历史记录,引领着业界嵌入式处理器的革新。

    ATSAM4S16C 最大主频达120MHz,集成了1MB Flash ,128KB SRAM,进一步增强了系统性能,工作电压支持1.62V到3.6V,在低工作频率时的动态模式下 ,每增加200uA的电流可以增加1MHz的主频,当工作频率达到120MHz时功耗为30mA,另外在有实时时钟(RTC)运行的1.8V备用模式下,功耗仅为3uA。ATSAM4S16C 接口支持SRAM, PSRAM, NOR FLASH,LCD module 和 NAND Flash。并且拥有丰富的外设连接,系统控制和模拟接口,集成的触摸传感器原生态支持ATMEL的QTouch®电容式触摸按钮,滑块和滑轮。ATSAM4S16C PIN-TO-PIN兼容Atmel的SAM7S,SAM3N和SAM3S 系列MCU,支持并行输入/输出(IO)的数据采集模式。

    另外ATSAM4S16C的安全性也值得称道,集成了最佳硬件代码保护,防止存取片上存储器的内容,以保护知识产权。支持安全的芯片擦写,以便重复编程,独特的 128 位 ID 和扰频外部总线接口,可在硬件循环冗余校验 (CRC) 检查存储器完整性时确保软件的机密性,如此强大的MCU可以应用在众多场合,如工业控制,医疗,计量,游戏设备等。

    强大的外脏--IS66WV51216DBLL

    xplained3

    IS66WV51216DBLL是一个高速8Mb 静态RAM,使用ISSI的高性能CMOS工艺,工作电压支持2.5v-3.6V,55ns的高速存取时间,支持三态输出(高电平,低电平,高阻抗),下图为SRAM工作的原理框图

    yuanli

    我们先简单了解下原理框图,图中A0-A18为地址线输入,I/O 0-I/O 15为数据输入/输出, CS1为芯片使能输入, OE为输出使能输入, WE是写使能输入, LB是低位字节控制(I/O0-I/O7),UB是高位字节控制(I/O8-I/O15),那如何工作呢?继续往下看

    真值表

    图中的真值表表明了SRAM的工作状态,当CS1处于低电平,LB,UB处于高电平状态,则SRAM处于待机模式,此状态可以降低CMOS的输入电平从而达到降低功耗,我们发现,无论是写使能信号和片选使能信号CS1都是低电平有效。
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