Flash保护后最靠近保护区域的flash块部分不可写

Athlon-258663 · 发表于 2015-10-8 22:40:13

小弟在用DZ60单片机做一个bootloader，flash是这样划分的1900-E7FF用作用户程序区，不加保护
E800-FFFF的6K保护，其中E800-F9FF的4.5K是bootloader的程序存放区。
如下所示
QQ图片20151008223450.jpg

根据数据手册，设置相关寄存器如下
const unsigned char NVPROT_INIT @0xFFBD = 0xFB; // EPROM不保护，FLASH 6K
const unsigned char NVOPT_INIT @0xFFBF = 0x02; //启用向量重定向

使用RAM——CODE运行flash擦写函数，并修改了相关PRM

结果是，最靠近保护区的那个flash块的最后一部分始终无法成功写入，但写入函数也不报错。而那一块恰好应该是向量重定向后的中断表所在
如下图示：
QQ图片20151008224121.jpg

E77A还可以写入，但 E77B到E7FF就写不了，而按照数据手册所说，保护了6K后向量表应该位于E7C0-E7FD，请教各位这个怎么解决

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JackieLaura · 发表于 2015-10-9 09:44:57

关注此问题，学习学习

anger0925 · 发表于 2015-10-9 12:02:39

学习

Athlon-258663 · 发表于 2015-10-12 09:00:09

卧槽，还是我自己来回答吧。
经调试发现，DZ60在使用flash保护，启用中断向量重定向后出现新向量表所在flash区段无法写入的原因在于靠近新向量表的flash块内写有数据。例如，当保护6K时，保护区段为0XE800-0XFFFF，新向量表所在位置为0XE7C0-0XE7FF，但若BootLoader程序的代码被写入0XE800开始的flash块，则会导致其上的0XE77B-0XE7FF无法写入任何内容，该现象未记载于数据手册。