对Flash擦写数据时使用ESFC位以避免写冲突造成擦写失败

FSL_TICS_ZP · 发表于 2016-2-24 10:35:46

对Flash擦写数据时使用ESFC位以避免写冲突造成擦写失败

常识来说，当MCU需要对Flash进行写操作时，需要将写操作函数拷贝到RAM中来执行，因为写操作需要从Flash读取后才可以执行，不然Flash由于同时进行读写操作时会触发冲突！

而在Cortex M0+ 核的Kinetis中，可以使能MCM_PLACR[ESFC]来避免冲突的出现，换句话，在Flash内写自个也就成为可能啊！

有兴趣的小伙伴可以试试哦！！

小七 · 发表于 2016-2-24 10:40:38

很有用，推荐！

花溪村长 · 发表于 2016-2-24 10:56:08

學習一下！

lkl0305 · 发表于 2016-2-24 10:58:45

学习学习

fjlmnb456 · 发表于 2016-2-24 13:46:11

下载学习

fengyangsky · 发表于 2016-2-24 15:06:32

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