HC9S12关于EEPROM和flash内容

易关建

我的MC9S12XEP100里的prm文件里一共有36K的EEPROM，1K的固定页，35K的非固定页：
1：看数据手册，36K里面应该有32K的D-flash，4K的buffer ram，这两部分都可以分一部分做模拟EEPROM，不知道这个理解正确吗？
2:  在prm文件里，没有定义任何和EEPROM相关的段，就相当于正常程序不会有任何内容装到EEPROM中才对，但是我看程序EEPROM的固定页FF和FE页的memory里都有内容，不知道是装的什么？
3：在p-flash和D-flash的擦写需要一个比较复杂的流程，但是可以使用#pragma CONST_SEG <段名>,将const变量固定在相应的flash区间，达到的效果不是一样的吗，而且更方便快捷~请问二者有什么区别吗？
感谢各位大神赐教~~谢谢~

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易关建

关于第三个问题，是不是#pragma CONST_SEG的const变量只能在某个段里按顺序将变量排布下去，而且写进去就擦不了了，所以对flash空间的完整擦写读，就需要使用它完整的擦写操作~