keaz128 bootLoader相关的flash烧写问题

number573 · 发表于 2017-4-10 12:05:18

各位好，本人前一阵做keaz128的bootloader,发现flash烧写代码有下列代码，大体的作用应该是烧写补充字节，但是对 BIG_ENDIAN（下面代码的第一行）的定义，不理解，这个是做什么用的？我在工程中找它的定义没有找到，因此来此求助，有清楚的吗？帮忙解惑

#if    defined(BIG_ENDIAN)
u32DwData0 = 0;
pData = (uint8_t*)pDwData; // pointer to the left bytes
for(i = u8WrLeftBytes; i >0; i--)
{
u32DwData0 <<= 8;
u32DwData0 |= *pData++; // MSB byte first
}
// Calculate how many bytes need to be filled with 0xFFs
// in order to form a single longword for the left bytes of data
u8WrLeftBytes = 4 - u8WrLeftBytes;
//
for(i = u8WrLeftBytes; i >0; i--)
{
u32DwData0 <<= 8;
u32DwData0 |= 0xFF; // MSB byte first
}
#else
u32DwData0 = 0xFFFFFFFFL;
pData = (uint8_t*)pDwData+u8WrLeftBytes-1; // pointer to the left bytes
for(i = u8WrLeftBytes; i >0; i--)
{
u32DwData0 <<= 8;
u32DwData0 |= *pData--; // MSB byte first
}
#endif

最佳答案

number573 发表于 2017-4-10 13:02 明白了，那这个模式在哪可以看到呢？去数据手册的看吗？你可以直接用IDE 仿真下就知道了。比如写入地址是0x123456, 然后查看内存是不是123456,还是数据高低位倒了下。 ...

小恩GG
发表于2017-04-10
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小恩GG · 发表于 2017-4-10 12:08:26

大端模式，是指数据的高字节保存在内存的低地址中，而数据的低字节保存在内存的高地址中，这样的存储模式有点儿类似于把数据当作字符串顺序处理：地址由小向大增加，而数据从高位往低位放；这和我们的阅读习惯一致。
小端模式，是指数据的高字节保存在内存的高地址中，而数据的低字节保存在内存的低地址中，这种存储模式将地址的高低和数据位权有效地结合起来，高地址部分权值高，低地址部分权值低。
没定义说明就是小端模式。