mpc5744pflash块擦除问题

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有 哪位大神知道在使用NXP官方提供的MPC5xxx_EEE_DRIVER模拟eeprom的驱动库时为什么在SWAP块数据时调用FSL_FlashEraseStart函数擦不掉块上某些地址上的数据 。而在其后的FSL_MainFunction函数中调用FSL_FlashEraseStart函数时却可以擦除整块 而两次调用FSL_FlashEraseStart函数时传入的参数是一模一样的 但是却在SWAP函数调用FSL_FlashEraseStart时在每个要擦除的块的偏移地址为0x20 0x21 0x22 0x23这四个字节数据每次都擦不掉。并且是每次在SWAP函数中调用FSL_FlashEraseStart时都是擦不掉那四个字节数据
  求大神帮解答下 谢谢


这个是FlashEraseStart函数的源码

UINT32 FSL_FlashEraseStart( UINT32 interlockWriteAddress,
                            UINT32 lowEnabledBlock,
                            UINT32 midEnabledBlock,
                            UINT32 highEnabledBlock)
{
    UINT32 returnCode = EE_OK;
    /* Check the high voltage operation */
    if ((READ32(FLASH_REG_BASE + FLASH_MCR) & (FLASH_MCR_ERS | FLASH_MCR_PGM)) != 0U)
    {
        /* If any P/E operation in progress return error */
        returnCode = EE_INFO_HVOP_INPROGRESS;
    }
    else
    {
        /* Set MCR ERS bit */
        SET32((FLASH_REG_BASE + FLASH_MCR), FLASH_MCR_ERS);
        /* Prepare low and middle enabled blocks */
        lowEnabledBlock &= 0xFFFFU;
        midEnabledBlock &= 0xFFFFU;
#if (FLASH_MODULE == C55)
        lowEnabledBlock <<= 16U;
#else
        midEnabledBlock <<= 16U;
#endif
        /* Write the block selection registers */
        WRITE32((FLASH_REG_BASE + FLASH_SEL0), (lowEnabledBlock | midEnabledBlock));
        WRITE32((FLASH_REG_BASE + FLASH_SEL1), highEnabledBlock);
        /* Interlock write */
        WRITE32(interlockWriteAddress, 0xFFFFFFFFU);
        /*WRITE32(interlockWriteAddress+0x20U, 0xFFFFFFFFU);*/
        /* Set MCR EHV bit */
        SET32((FLASH_REG_BASE + FLASH_MCR), FLASH_MCR_EHV);
    }
    return returnCode;
}

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flash只能整块擦除