MK64FX512VLQ12用FlexNVM模拟EEPROM问题

lonely989 · 发表于 2018-1-5 15:58:15

本帖最后由 lonely989 于 2018-1-5 16:08 编辑

大家好，我根据官方例程第16篇编写代码，用MK64FX512VLQ12用FlexNVM模拟EEPROM。调试时出现问题：写入FlexRAM中的数据，在系统再次上电后读不出来，没有达到EEPROM的断电存储功能。具体代码如下：

void EEPROM_Config(unsigned char data4,unsigned char data5)
{
FTFE_FCCOB0=FTFE_FCCOB0_CCOBn(0x80);                      //program partition command
FTFE_FCCOB1=0;
FTFE_FCCOB2=0;
FTFE_FCCOB3=0;
FTFE_FCCOB4=data4;
FTFE_FCCOB5=data5;
FTFE_FSTAT=FTFE_FSTAT_CCIF_MASK;
while(!(FTFE_FSTAT&FTFE_FSTAT_CCIF_MASK));

}

第一次烧录：
void regular()
{
static unsigned char i=0;

if(1s_flag)    //1秒钟到了
      {
      if(i)
            {
               data=*(volatile long*)0x14000000;
               }
      else
            {
            *(volatile long*)0x14000000=0x5678;                while(!(FTFE_FCNFG & FTFE_FCNFG_EEERDY_MASK));             i=1;
            }
      }
}
第二次烧录：
void regular()
{
data=*(volatile long*)0x14000000;
}

int main(void)
{
wdog_close();
EEPROM_Config(0x19,0x0c); //data4=00 01 1001,subsystem A=8 Byte,subsystem B=24 Byte,共32 Byte;data5=0000 1100,EEPROM backup=64kByte

…
while(1)
      {
      regular();
      …
      }
return1；
}

我第一次烧录的regular代码包括了一次写FlexRAM，之后读FlexRAM，可以读到我写入的数据

但是我对板子断电后，我将regular改为第二次烧录的regular代码，相当于只读，但是却读不到我断电之前写入的数据了

请问我如何能实现断电数据保存到MCU片内EEPROM的功能。
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