美国国防部高级研究计划局 (Defense Advanced Research Projects Agency,DARPA) 最近公布了获得电子复兴计划(Electronics Resurgence Initiative,ERI)提供的第一笔资金资助的科学家、公司和机构的名单。ERI是一项为期5年的、斥资15亿美元的计划,目的是在摩尔定律时代即将结束之际重塑美国电子产业。在公布的42个受资助项目中,有一个项目因得到大幅超出其他项目的资助金额而特别引人注目。
这个项目获得的资助金额高达6100万美元,其中,“利用密集的细粒度的单片3D集成技术变革计算系统”( Revolutionizing Computing Systems through Dense and Fine-Grained Monolithic 3D Integration)项目是其所包含子项目中获资做多的——所得资助金额近4000万美元。这个子项目的目标同样引人注目:利用单片3D集成技术,使得以用了数十年之久的旧制造工艺制造出来的芯片能与以目前最先进的技术所制造出来的芯片相媲美。
该项目基于麻省理工学院电子与计算机工程助理教授Max Shulaker及其在斯坦福大学的同事Subhasish Mitra和H.-S. Philip Wong开发的一种技术,该技术允许将碳纳米管晶体管和电阻式RAM存储器构建在普通CMOS逻辑芯片之上。