芯片手册Flash模块中的Margin Level该怎么理解呢

guguhaohao · 发表于 2018-10-23 16:40:46

如题

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小恩GG · 发表于 2018-10-24 16:38:25

楼主你好，关于margin level, 你可以仔细看下参考手册：
36.5.10 Margin read commands
这里讲的比较清楚。

guguhaohao · 发表于 2018-10-25 09:52:08

本帖最后由 guguhaohao 于 2018-10-25 09:54 编辑

小恩GG 发表于 2018-10-24 16:38
楼主你好，关于margin level, 你可以仔细看下参考手册：
36.5.10 Margin read commands
这里讲的比较清楚。 ...

个人理解，还望指正：
CPU通过检测Flash中的Cell的电流值来确定该位的状态：逻辑0或者逻辑1；但是随着时间的流逝或者擦除/编程的次数增加，逻辑0或者逻辑1的状态就会变得并不是那么的明显；
Normal模式是正常的模式，它有自己的读取参考电流值；User模式和Factory模式下的参考值和Normal模式的参考值不同；User模式的读取电流参考值要比Normal的参考值的区间要窄(区间指的是读取逻辑0的参考值和逻辑1的参考值之间的间隔)，Factory模式的读取电流参考值要比Normal的参考值要宽，如下图：
C:\Users\guhao\Desktop\微信图片_20181025094744.jpg

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