本帖最后由 小恩GG 于 2019-11-7 10:00 编辑
【经验分享】RT105X烧录RAM APP到qspi flash image实例分析
一，文档介绍
相信大家在看了痞子衡关于RT启动的文档之后，对RT代码启动结构已经比较熟悉 ，具体可以查看如下原文链接：
本文为了更清晰的显示RT外部flash的boot image的结构，以实例代码下载后读出memory形式来说明内存结构。
根据NXP的RT相关文档可以知道实际的flash memory分块情况如下：
图1 boot image
下面我们使用IDE生成一个放在RAM的app代码，然后通过MCUBootUtility工具烧录之后，具体分析相关的内存块以及启动情况，希望能够更加清楚的帮助大家理解RT的外部memory启动。
二，MCUXPressoIDE 生成RAM app代码
首先准备一个基于MCUXpressoIDE的RAM app代码，代码偏移地址为0XA000。当然其他的RAM地址也是可以的，这里仅仅以0XA000为例。
代码可以使用官方的SDK代码，如果要生成放到RAM的code，可以做如下配置。
图2 mcuxpress IDE memory配置
图3 RAM image 配置
配置好后，编译工程，然后选择.axf文件右击可以生成相关的image， 这里我们选择S-record格式文件，也就是srec/s19文件。
图4 生成app srec文件
点击之后，可以在相应的debug或者release文件夹下看到自己的.s19 app文件。生成的可执行文件可以改为其他名字，为了便于识别，我们这里名称改为
evkbimxrt1050_led_softwarereset_0xa000.s19，本代码功能为：RT1050-EVKB板上LED闪烁，启动之后打印信息，按键按下WAKEUP引脚，可以实现代码的软件复位。这里打开生成的evkbimxrt1050_led_softwarereset_0xa000.s19，第一行S0是SREC文件格式中用于记录类型的，没有地址场，只是表示程序的开始，不需要烧录memory中，S1类型带有地址场和数据场，是真正的app image开始，可以看到代码的起始地址已经被放到0XA000之前定义的RAM目标地址。
图5 s19 image查看
三，MCUBootUtility烧录的image分析
下面使用MCUBootUtility烧录到MIMXRT1050-EVKB QSPI 版本的nor flash中，然后开始分析相关image分区的代码以及信息。
从第一章的图1，可以看到，普通不带加密的app image烧录到外部norflash后，大致分为7块：FDCB,BLANK,IVT,BOOTDATA, DCD,APP,BLANK.
图6 app image在flash中查看
由于RAM烧录到外部flash的代码并不是XIP的，所以会在启动之后把所有代码拷贝到内部的RAM， 根据上面的代码信息，可以知道启动之后内部ITCM的最终地址映射情况如下：
图7 app image在ITCM中映射情况
1：IVT: hdr， IVT的头，具体见hab_hdr
2: IVT: entry， app 的entrypointAddress, 一般设为复位中断地址。图中连线到APP 0XA004即复位中断地址，可以看到数据的确为0X00A2DD.
3: IVT: reserved
4: IVT: DCD， 用于SDRAM SEMC的配置，如果没有用SDRAM，则没有。
5: IVT: BOOT_DATA， 指定BOOT_DATA的起始地址0X9020
6: IVT: self, ivt本身的起始地址为0X9000
7: IVT:CSF，指定CSF的起始地址,无加密则无CSF。
8: IVT:reserved
9:BOOT_DATA: start，image的起始地址，这里最终为ITCM的0X8000，0XA000-0X2000=0X8000
10:BOOT_DATA: size, APP的总size大小，可以图5看到，0Xf244-0xa000=0x7244
11: APP 结尾地址，可以用于算app代码大小。
到这里，可以看到具体的实例数据对应情况已经非常明显。
【经验分享】RT105X 烧录RAM APP到qspi flash image实例分析.pdf
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