S32K144 遇到的flash无法擦写的问题

SeeYou.

在调试s32k144的过程中，在使用s32ds中s32k sdk 3.0中的flash分区例程flash_partitioning_s32k144，例程中对pflash和eee的擦写都正常，然后我在该例程的基础上，在ld文件中加入对pflash的划分，

1.   /* Flash */
   
2.   m_interrupts          (RX)  : ORIGIN = 0x00000000, LENGTH = 0x00000400
   
3.   m_flash_config        (RX)  : ORIGIN = 0x00000400, LENGTH = 0x00000010
   
4.   m_text                (RX)  : ORIGIN = 0x00000410, LENGTH = 0x0007DBF0
   
5.   
   
6.   m_text2               (RW)  : ORIGIN = 0x0007e000, LENGTH = 0x00002000
   
7. 
   
8.   /* SRAM_L */
   
9.   m_data                (RW)  : ORIGIN = 0x1FFF8000, LENGTH = 0x00008000
   
10. 
    
11.   /* SRAM_U */
    
12.   m_data_2              (RW)  : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 0x00007000

复制代码

以及添section定义

1. .MySection1 :
   
2.   {
   
3.     . = ALIGN(4);
   
4.     *(.mysection1)
   
5.     . = ALIGN(4);
   
6.   } > m_text2

复制代码

然后再c文件中定义两个数组

1. __attribute__((section (".mysection1"))) const uint32 Flash_data[512] =
   
2. {
   
3.         1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,
   
4.         1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,
   
5.         1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,
   
6.         1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,
   
7.         1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,
   
8.         1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,
   
9.         1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,
   
10.         1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1
    
11. };
    
12. 
    
13. __attribute__ ((section(".data"))) uint32 Ram_data[512];
    

复制代码

接着修改程序将

1. INT_SYS_DisableIRQGlobal();
   
2. 
   
3.         ret = FLASH_DRV_EraseSector(&flashSSDConfig, (uint32)&Flash_data[0], FEATURE_FLS_PF_BLOCK_SECTOR_SIZE);
   
4.         DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);
   
5.          INT_SYS_EnableIRQGlobal();
   
6.     /* Disable Callback */
   
7. //    flashSSDConfig.CallBack = NULL_CALLBACK;
   
8. 
   
9. 
   
10.         /* Verify the erase operation at margin level value of 1, user read */
    
11.         ret = FLASH_DRV_VerifySection(&flashSSDConfig, (uint32)&Flash_data[0], size / FTFx_PHRASE_SIZE, 1u);
    
12.         DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);
    
13. 
    
14.         /* Write some data to the erased DFlash sector */
    
15.         address = flashSSDConfig.DFlashBase;
    
16.         size = BUFFER_SIZE;
    
17.         ret = FLASH_DRV_Program(&flashSSDConfig, (uint32)&Flash_data[0], FEATURE_FLS_PF_BLOCK_SECTOR_SIZE, (uint8_t *)Ram_data);
    
18.         DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);
    
19. 
    
20.         /* Verify the program operation at margin level value of 1, user margin */
    
21.         ret = FLASH_DRV_ProgramCheck(&flashSSDConfig, (uint32)&Flash_data[0], FEATURE_FLS_PF_BLOCK_SECTOR_SIZE, (uint8_t *)Ram_data, &failAddr, 1u);
    
22.         DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

复制代码

但是debug运行程序时，运行完FLASH_DRV_EraseSector函数后，对应地址后的区块并没有被擦除掉，不知道是什么原因，之前调试kea128的时候是同样的工作流程，却可以擦写成功，往有同样经历的大佬解答

我知道答案 目前已有0人回答

阅读全文