【经验分享】MIMXRT1064 内部flash操作代码

小恩GG · 发表于 2020-3-20 19:51:02

本帖最后由小恩GG 于 2020-3-20 19:52 编辑

一，文档简介

写本篇经验分享的原因是，有些网友想单独操作MIMXRT1064的内部flash，都知道MIMXRT1064的内部flash实际上是一颗4MB Winbond W25Q32JV 的芯片放在RT1064芯片内部，然后通过QSPI 如下接口连接：

在官方的RT1064 SDK代码中，有flexpi接口连接QSPI 的代码：

SDK_2.7.0_EVK-MIMXRT1064\boards\evkmimxrt1064\driver_examples\flexspi\nor\polling_transfer

但是如果仔细查看，可以发现这个代码是通过FlexSPIA接口连接MIMXRT1064-EVK板上外部的ISSI QSPI 芯片：

那么如果要修改官方SDK的flexSPI代码，如果实现与内部winbond芯片的连接呢？本篇文章讲仔细讲解在SDK2.7.0上MCUXpresso工程具体需要修改的点，并且给出测试结果，其他IDE修改代码修改方式一样。

二，代码说明

ISSI IS25WP064芯片和winbond W25Q32JV都是QSPI接口的QSPI flash，那么它们到底有哪些不同点呢？

1. QE bit位置不同

W25Q32JV QE位置为S9，而IS25WP064为bit 6，所以我们需要修改关于QE的代码：

WriteValue从之前的0X40改为0X0200

2. Flashsector 擦除的命令不同

查看代码可以发现，SDK代码里面擦除的命令为0XD7

/*Erase Sector */

[4 * NOR_CMD_LUT_SEQ_IDX_ERASESECTOR] =

FLEXSPI_LUT_SEQ(kFLEXSPI_Command_SDR, kFLEXSPI_1PAD, 0xD7, kFLEXSPI_Command_RADDR_SDR, kFLEXSPI_1PAD, 0x18),

然后查看两块芯片的数据手册，发现命令如下：

其实0X20 为4K sector erase的共同运行命令，所以完全可以修改0XD7为0X20，因为winbond不能支持0XD7擦除命令。

3. 修改flash模块时钟

时钟修改为133Mhz

4.不需要的配置FlexSPIA接口的Pinmux代码可以去掉

5. 代码修改为从内部RAM运行

因为内部QSPI flash不能支持RWW功能，所以操作flash的代码需要放到内部RAM运行，修改如下：

到目前为止，所有的修改已经完成，可以进入测试阶段，烧录RAM看功能

三，测试结果

1. 初始化flexSPI,读取VID

读出0XEF，正确结果

2. 擦除命令

之前0X70004000区域是有数据的，经过sector擦除，都变成0XFF，说明擦除成功。

3. 编程命令

可以看到0X70004000区域已经有需要写入的数据，编程命令也操作成功。

到目前为止，所有的命令均已经成功，所以该程序可以准确访问内部flash了。

domihalk · 发表于 2020-11-6 11:04:50

刚接触，学习

andeyqi · 发表于 2020-12-31 11:28:07

请教一下“因为内部QSPI flash不能支持RWW功能，所以操作flash的代码需要放到内部RAM运行”是不是意味着如果是代码运行在内部QSPI flash就不能在对内部flash进行写操作了？

小恩GG · 发表于 2020-12-31 13:57:34

andeyqi 发表于 2020-12-31 11:28
请教一下“因为内部QSPI flash不能支持RWW功能，所以操作flash的代码需要放到内部RAM运行”是不是意味着如 ...

正确

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