kl16Z256芯片FLASH读写问题

sunshine2017

    kl16Z256芯片FLASH读写问题，写入时只能是单字(4个字节)写入吗，有没有块(1K字节)写入？

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小恩GG

flash读写是以扇区进行的，而不是几个字节

sunshine2017

FLASH是扇区进行的，这个我清楚
实际指令只有单字(4字节)写入，
有没有相关代码或博客说明看下，谢谢！

sunshine2017

这是我的代码，请大家看下
E_FLASH_STATUS Flash_Write(u16 u16SectorNo, u16 u16Offset, u16 u16Cnt, u8 *pu8Buf)
{
    u32 u32Size;
    u32 u32Destaddr;
    #define PROGRAM_LEN     4
   
    union
    {
        u32    u32Word;
        u8     au8Byte[4];
    }U_Dest;

    if ((u16Offset % 4) != 0)
    {
        return E_FLASH_ERASE_ERROR;   //参数设定错误，偏移量未对齐（4字节对齐）
    }
   
    // 设置写入命令
    FTFA->FCCOB0 = Program_Longword;
    u32Destaddr = (u32)(u16SectorNo*Sector_Size + u16Offset);//计算地址
    U_Dest.u32Word = u32Destaddr;

    for (u32Size = 0; u32Size < u16Cnt; u32Size += PROGRAM_LEN, U_Dest.u32Word+=PROGRAM_LEN)
    {
        // 设置目标地址
        FTFA->FCCOB1 = U_Dest.au8Byte[2];
        FTFA->FCCOB2 = U_Dest.au8Byte[1];
        FTFA->FCCOB3 = U_Dest.au8Byte[0];

        // 拷贝数据
        FTFA->FCCOB4 = *(pu8Buf+3);
        FTFA->FCCOB5 = *(pu8Buf+2);
        FTFA->FCCOB6 = *(pu8Buf+1);
        FTFA->FCCOB7 = *(pu8Buf+0);
        
        if (!FlashCmdLaunch())
        {
            HAL_IT_EnableAllInterrupt();
            return E_FLASH_WRITE_ERROR;  //写入命令错误
        }
        
        *(pu8Buf+=PROGRAM_LEN);
    }

    return E_FLASH_OK;  //成功执行
}

sunshine2017

敬请各位大神瞄几眼，给个回复

sunshine2017

自己顶上，有没有大神给看下，我写入128K的数据，需要30多秒的时间，不知道问题出在哪里，有没有更快的办法

sunshine2017

咋没有人回复呢，难道大家都不操作FLASH吗