lpc1768flash写的问题

wdliming-222461

请教一下，lpc1768是不是只能一次性写固定数目的字节的？
/**
* @brief IAP write length definitions
*/
typedef enum {
  IAP_WRITE_256  = 256,
  IAP_WRITE_512  = 512,
  IAP_WRITE_1024 = 1024,
  IAP_WRITE_4096 = 4096,
} IAP_WRITE_SIZE;


能不能写一个字节呢？？我只是用一个字节，感觉256都有点浪费啊~~

最佳答案

现在的编译器在声明变量，或者 malloc的时候都会自动4字节对齐。 但是不可以以下方式处理： uint8_t mbuf[256]; uint8_t *src_addr; src_addr = &mbuf[1];        //不可以使用此源地址下的地 ...

• jobszheng5
• 发表于2020-10-15
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jobszheng5

很可能是按页写的。具体查看文档吧！
友商的flash也是擦除后可按word写，但同一位置也仅可以写一次。

wdliming-222461

jobszheng5 发表于 2020-10-15 09:12
很可能是按页写的。具体查看文档吧！
友商的flash也是擦除后可按word写，但同一位置也仅可以写一次。 ...

将 RAM 内容复制到 Flash
输入
命令代码：5110
参数 0（DST）：要写入数据字节的目标 Flash 地址。目标地址的边界应当为 256 字节
参数 1（SRC）：读取数据字节的源 RAM 地址。该地址应当以字为边界
参数 2：写入字节的数目。应当为 256 | 512 | 1024 | 4096
参数 3：系统时钟频率（CCLK）（单位：KHz）
这是文档里面写的，那感觉好浪费啊~~

jobszheng5

这个是硬件设计所导致的。
估计也是因为这个Cortex-M0+的MCU上面就集成了片上的EEPROM。
这样就非常方便楼主的设计了。

wdliming-222461

jobszheng5 发表于 2020-10-15 09:12
很可能是按页写的。具体查看文档吧！
友商的flash也是擦除后可按word写，但同一位置也仅可以写一次。 ...

参数 1（SRC）：读取数据字节的源 RAM 地址。该地址应当以字为边界
这个怎么来4字节定义呢？？

jobszheng5

现在的编译器在声明变量，或者 malloc的时候都会自动4字节对齐。
但是不可以以下方式处理：

1. uint8_t mbuf[256];
   
2. uint8_t *src_addr;
   
3. src_addr = &mbuf[1];        //不可以使用此源地址下的地址空间。

复制代码

wdliming-222461

jobszheng5 发表于 2020-10-15 09:42
现在的编译器在声明变量，或者 malloc的时候都会自动4字节对齐。
但是不可以以下方式处理：
...

多谢大佬~~~

wdliming-222461

jobszheng5 发表于 2020-10-15 09:42
现在的编译器在声明变量，或者 malloc的时候都会自动4字节对齐。
但是不可以以下方式处理：
...

这个是啥逻辑呢？？
为啥不能用，语法不对吗？

jobszheng5

在声明mbuf[256]时，地址 &mbuf[0]是4字节对齐的，但是 &mbuf[1]偏移了一个字节，自然就不再会是4字节对齐了。

wdliming-222461

jobszheng5 发表于 2020-10-15 09:59
在声明mbuf[256]时，地址 &mbuf[0]是4字节对齐的，但是 &mbuf[1]偏移了一个字节，自然就不再会是4字节对齐 ...

ok，多谢~~