I.MXRT 外接 SDRAM注意事项

NXP管管

I.MXRT 外接 SDRAM注意事项

问题描述：

I.MXRT1062用外挂的SDRAM，程序运行起来就异常，如果不用外部的SDRAM，只用内部的RAM，程序是可以正常启动。为什么？

解决方法：

去掉SEMC_DQS连接的电容，不管是Winbond，ISSI，美光还是钰创等厂家的SDRAM都能够正常运行。推荐 SDRAM用如下配置。
GPIO_EMC_39：SION = 1, MUX_MODE = ALT0 ，DQSMD = 1
需要保持 GPIO_EMC_39/SEMC_DQS 引脚为浮空状态。

在SEMC MCR寄存器里面有DQSMD位，如果DQS 模式是冗余的读DQS的回环，SEMC_DQS引脚需要配置，SION配置为SEMC_DQS的输入。如果外设信号没有输出到DQS，例如SDRAM外设器件。为了产生正确的延迟参考，SEMC_DQS应该被悬空。

如果DQS模式设置为内部环回，则SEMC_DQS引脚也不应当使用。在SDK例子代码中，SDRAM的默认配置DQS信号是内部环回的。基本上，semc_dqs用于冗余的读环路引脚。详细信息可以参考手册25.3部分。

在开发板上SEMC_DQS这个引脚是悬空的，外部的0.1uF电容是没有焊接的，DNP状态。

SDRAM接口（运行频率高达166mhz）是芯片的关键接口之一。SDRAM路由必须分为两组：数据组和地址/控制组。

•SEMC_DQS信号线应保持浮空。
•所有数据线和DM[x]
•所有地址线和控制线

SDRAM的寻址地址组成是RowAddress+BankAddress+ColumnAddress。
对于i.mxrt1050，SEMC可以支持的sdram至少需要9列地址线，而只有4个BANK。
对于i.MX RT1060，SEMC能够支持的sdram至少需要8个列地址线，有2个BANK和4个BANK。

例如：ISSI_SDRAM 如果是42s16100c1_6_5_x16_16Mb的型号，那么它可以用于i.MX RT1060，但不能用于i.MX RT1050。

因为IMXRT1050-EVKB是4层板设计，所以两个布局都参考GND平面用于阻抗控制。一个组在顶层布线（参照平面是第二层），而另一个组在底层布线（参照平面是第三层）。

所以，针对 RT1050/RT1060 SEMC 模块支持SDRAM接口，为了实现更高速的访问，SEMC_DQS 引脚(GPIO_EMC_39) 必须保持浮空。

针对 RT1050/RT1060 FlexSPI 模块支持 QSPI, FlexSPI_DQS 引脚(GPIO_SD_B1_05) 必须保持浮空来实现高速的访问。

RT1021 的SEMC只支持9 bit以上的Column Address，如果接一个8 bit Column Address的SDRAM，然后软件操作特意避开不存在的地址空间，SDRAM仅仅存储数据，不跑代码和程序变量，只通过软件访问，在软件上可以避开重叠地址空间吗？

比较8MB和16MB的SDRAM，8MB要便宜几块钱，但8MB 的SDRAM大部分是8位 Column Address的。Column Addres在SDRAM寻址的最后面，如果是16位数据线，可选的最小容量SDRAM是16MB，会认为16MB空间资源有点浪费了。接8位的话， 就变成这样了，256字节（可用）- 256 字节（不可用） - 256 字节（可用）- 256 （不可用），地址不连续，分配的变量就要全部指定位置了，同时对于RT1021来讲，访问0-255和256-511是两个地址段，但是对SDRAM 就是一个地址，会出现地址重叠。

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ttgoer-30561

这个DQS啊，一不小心就会踩雷。
包括不存在的QSPIFLASH DQS

NXP管管

ttgoer-30561 发表于 2020-12-22 16:20
这个DQS啊，一不小心就会踩雷。
包括不存在的QSPIFLASH DQS

是的