LPC11u68如何实现串口升级代码

lving

没太看懂官方IapFlash例程，可以在APP中直接对APP区域操作进行擦除重写吗？还是需要重新对中断向量表做重映射，制作BOOT和app？

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一代睡神的崛起

您好，针对这个问题建议您首先对该MCU的Flsha有一个比较详细的了解。下面附上一张Flash的地址空间。在执行IAP的upgrade之前确保你的APP程序code已经写入进去了。举个例子，例如user ram是从0x0000000开始的有效地址范围为64K，您可以分配0x00000000-0x00000400为16K为bootloader，后面44K为APP程序地址，最后的4预留下来不要写满，有些重要的OTP程序可能存储在其中。至于怎么跳转可以参照一下官方其他LPC系列的MCU，通用移植性很高。下面附上一个example：

当程序全部写入到Flash后，设置出发条件，跳转到应用程序，首先修改中断向量表然后进入应用程序
void Boot( void )
{
        SCB->VTOR = IMG_START_SECTOR & 0x1FFFFF80;        //修改中断向量表
        JMP_Boot(IMG_START_SECTOR);
}
堆栈地址更新，PC地址更新
__asm void JMP_Boot( uint32_t address ){
   LDR SP, [R0]                ;堆栈地址更新
   LDR PC, [R0, #4]        ;进入应用程序
}

jobszheng5

楼上这回帖，授人以渔啊
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胤幻1988

https://blog.csdn.net/yhl_sophia ... m_relevant_index=15

lving

一代睡神的崛起 发表于 2022-1-5 14:16
您好，针对这个问题建议您首先对该MCU的Flsha有一个比较详细的了解。下面附上一张Flash的地址空间。在执行I ...

1. 在bootloader中设置如下：使用0-50K地址范围制作bootloader

2.在APP中设置代码段为SAM地址范围 前10K做代码段，后面22K留作SRAM，将生成的BIN文件用JLINK下载到Flash 0XC800处


跳转代码如下：

static void jump_to_upgrade(void)
{
#define USER_SRAM_ADDRESS  0x10000000
        typedef void (*iapFun)(void);
        iapFun appMain= (iapFun)*(uint32_t*)(USER_SRAM_ADDRESS+4);;
       
        NVIC->ICER[0] = 0xFFFFFFFF; // ¹Ø±ÕÖжÏ
        NVIC->ICPR[0] = 0xFFFFFFFF; // Çå³ýÖжϱê־λ
        __DSB();
        __ISB();

        memcpy((uint32_t *)USER_SRAM_ADDRESS, (uint32_t *)0xc800, (10*1024) );
        Chip_SYSCTL_Map(0x01);
        MSR_MSP(*(uint32_t*)0x00, *(uint32_t*)(USER_SRAM_ADDRESS+4));
}

1.关闭中断
2.将0xc800处APP代码拷贝代RAM（0x10000000）中
3.将中断向量表重映射到RAM中
4.设置堆栈指针，跳转到复位向量

跳转后程序并没有成功？

一代睡神的崛起

lving 发表于 2022-1-6 16:26
1. 在bootloader中设置如下：使用0-50K地址范围制作bootloader

2.在APP中设置代码段为SAM地址范围 前10K ...

读出flash看看地址是否连续，或者flash是否被成功写入