LPC1768写入Flash数据错误

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问题现象：使用IAP接口操作Flash时，先擦除整片（4K）数据后，按256字节的缓存写入数据，可以正常操作，读写数据都正常。但如果不执行擦除，直接把相同数据覆盖写入时，会有某个位出错。
现在的操作逻辑是这样子的，还是定义一个256字节的缓存，用作写Flash。先判断当前写入的区域数据是否为FF，不是则进行擦除操作。然后写入数据之前，先把要写入地址能被256整除的地址区域数据读出来，把要写入的数据覆盖到当前这256的缓存里，然后再整体把这256字节写回去，这时候写某些数据时会出错。具体看下面代码。

void Flash_WriteByte(uint32_t addr,
                            uint8_t* data,
                            uint16_t len)
{
    uint32_t i;
    uint32_t start, end = 0;
    uint32_t cur_size, diff = 0;
    uint32_t data_add = 0;
    uint32_t start1 = 0;
   

    /* 判断当前是否需要擦除 */
    for (i = 0; i < len; i++)
    {
        if (0xFF != *((volatile uint8_t *)addr + i))
        {
            /* 判断当前地址处在哪个扇区 */
            Flash_GetSector(addr + i, &start, &end);
            
            /* 擦除整片Flash */
            Lpc17xx_Flash_Erase(start,
                                end,
                                FLASH_CCLK);
            
        }
    }
   
    while (1)
    {
        start = (addr / FLASH_OP_MIN_SIZE * FLASH_OP_MIN_SIZE);
        
        diff = addr - start;
        if (diff + len < FLASH_OP_MIN_SIZE)
        {
            cur_size = len;
        }
        else
        {
            cur_size = FLASH_OP_MIN_SIZE - diff;
        }
        
        /* 先读出256字节数据 */
        for (i = 0; i < FLASH_OP_MIN_SIZE; i++)
        {
            FlashData = *(volatile uint8_t *)(start + i);
        }
        
        /* 擦除 */
        #warning "测试代码"
        TestFlashErr++;
        if (TestFlashErr == 4)
        {
            TestFlashErr = 0;
        }
        
        /* 覆盖数据 */
        for (i = 0; i < cur_size; i++)
        {
            FlashData[diff++] = data[data_add++];
            len--;
            addr++;
        }
        

        /* 写入数据 */
        Lpc17xx_Flash_Write((start),
                            (FlashData),
                            FLASH_OP_MIN_SIZE,
                            FLASH_CCLK);

        #warning "测试代码"
        /* 再判断写入是否有误 */
        for (i = 0; i < FLASH_OP_MIN_SIZE; i++)
        {
            if (FlashData != *((volatile uint8_t *)start + i))
            {
                TestFlashErr++;
            }
        }

        
        if (0 == len)
        {
            break;
        }
    }

}

其中擦除跟写入的函数里，都有调用准备写的那个IAP指令，这一部分查过手册对比过，应该不会异常操作。现在是给这个写函数传入addr = 0x000093B5，data[0] = 0xE8，len = 1。然后再调一次写函数，传入addr = 0x000093B6，data[0] = 0x0F，len = 1。写入后发现0x000093B8地址的数据变成0xFB（理论应该保持0xFF的）。调试看调用写入函数之前，FlashData缓存里的数据也是对的，写完就错了一个位。

是因为这个芯片不支持不擦除重复写入的操作么？这同样的操作在ST芯片上没出过这样的问题。

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