本帖最后由 小恩GG 于 2023-4-27 16:26 编辑
【经验分享】如何在RT4位FDCB中使能QE功能 一， 文档简介 RT1XXX芯片需要接外部memory作为程序存储媒介，如果外部使用QSPI flash，通常会使用quad功能去读写代码，SDK代码也是基于quad去读取代码并启动。外部使用的QSPI flash，需要查看SFDP 是否满足包含JESD216B+以上版本，因为这种版本通常RT ROM会自动使能QE功能，但是对于JESD216B以下版本，需要命令方式去使能QE位，从而使能quad功能，否则FDCB的LUT定义的是quad读，但是新的芯片QE位没有使能，会导致程序启动失败。所以，对于新的芯片，需要使用命令方式先使能QE位，然后才可以使用quad功能去读写flash。然而，对于量产芯片，通常会直接下载好代码到QSPI flash，然后再从RT芯片启动，这个时候，额外使能QE位会导致工作量的增加，那么如何能够实现一次性烧录app代码到QSPI flash，并且能够直接使能QE并在RT4位芯片中boot呢？ 下面就QSPI flash在JESD216B+以下版本的情况，在MIMXRT1170-EVK板子上讲解，如何使用FDCB添加QE使能的命令，来实现，即使QE位没有使能，也能利用FDCB使能QE并启动。 具体内容请查看附件 | 
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发表于 2023-4-17 16:41:08
沉默卡
照妖镜
发表于 2023-4-17 20:35:53
