RT10XX 降低唤醒时冲击电流

NXP管管

近来有客户反馈，当使用RT1060从suspend mode唤醒时，会在VDD_HIGH_IN观测到一个较大电流。与此同时，电压也会产生一个较大的跌落，下降到RT1060的临界数值3.0V附近。在一些极端情况下可能会引起MCU异常无法正常工作。

如下图所示，VDD_HIGH_IN主要为芯片内部的analog部分供电，主要包括各类PLL，晶振，fuse，以及LDO。

经过查阅应用笔记，Suspend模式下，芯片内部的LDO_2P5和LDO_1P1会被关闭以降低功耗，当唤醒时，这两个LDO将会被启动为芯片内部的电路供电。另外，这两个LDO还外接了电容，在进入Suspend的时候LDO关闭，电容放电；在唤醒时，LDO开启，电容充电。那么引起问题的冲击电流很可能就是来自于这个两个外接电容。


为了验证这个猜想，在进入Suspend之前不关闭这两个LDO，然后唤醒MCU，问题消失。但随之而来的是带来不必要的一些功耗。那么有没有什么办法既能在Suspend下关闭LDO节省功耗，又能在唤醒时减缓冲击电流呢？答案必须有！

LDO有限流功能，以LDO_1P1为例，将bit2置1即可使能这个功能。在LDO_2P5的寄存器中也有相同功能，也是bit2写1即可。我们同时将这两个bit写1，再进行电流测试。


PMU->REG_2P5_SET |= 1<<2;
PMU->REG_1P1_SET |= 1<<2;


测试结果见下图，峰值冲击电流由原来高达2A减低到了400mA 。最低电压由临界值3.0V变成了3.25V左右。改善效果非常明显。

如果你也遇到过类似情况，建议尝试。


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