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[S12] s12xet256 单片机flash 被全地址范围保护并进入安全状态

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发表于 2010-3-5 16:39:10 | 显示全部楼层 |阅读模式
       各位大虾有没有知道freescale s12xep100数据手册中的double bit falt是指什么错误,我在对Flash进行保护(只保护高8K的地址范围)及安全设置后,使用BDM烧写程序,在调试窗口没有看到源文件,这说明Flash处于安全状态,通过跟踪相关寄存器的值,发现与自己设置的完全不同,通过查阅资料发现可能就是这个错误导致单片机flash 被全地址范围保护并进入安全状态,有没有解决办法?
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发表于 2010-3-6 09:22:25 | 显示全部楼层

回复:s12xet256 单片机flash 被全地址范围保护并进入安全状态

       各位大虾有没有知道freescale s12xep100数据手册中的double bit falt是指什么错误,我在对Flash进行保护(只保护高8K的地址范围)及安全设置后,使用BDM烧写程序,在调试窗口没有看到源文件,这说明Flash处于安全状态,通过跟踪相关寄存器的值,发现与自己设置的完全不同,通过查阅资料发现可能就是这个错误导致单片机flash 被全地址范围保护并进入安全状态,有没有解决办法?
 

1) Double bit fault 只与ECC(Error Correction Code)功能有关,跟secure和protection没有关系;
2) 如果启动了安全功能,再通过BDM访问所有的空间,其内容都不是正确的;--这是正常的,也是安全功能的目的所在,就是不希望能够通过BDM读出芯片的内容,除非你使用backdoor comparison key。回复第 1 楼 xiaoqi050222于2010-03-05 08:39:10发表:
 

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发表于 2011-7-6 11:02:10 | 显示全部楼层

回复:s12xet256 单片机flash 被全地址范围保护并进入安全状态

回复第 2 楼 TristoneGao于2010-03-06 01:22:25发表:
       各位大虾有没有知道freescale s12xep100数据手册中的double bit falt是指什么错误,我在对Flash进行保护(只保护高8K的地址范围)及安全设置后,使用BDM烧写程序,在调试窗口没有看到源文件,这说明Flash处于安全状态,通过跟踪相关寄存器的值,发现与自己设置的完全不同,通过查阅资料发现可能就是这个错误导致单片机flash 被全地址范围保护并进入安全状态,有没有解决办法?
 

1) Double bit fault 只与ECC(Error Correction Code)功能有关,跟secure和protection没有关系;
2) 如果启动了安全功能,再通过BDM访问所有的空间,其内容都不是正确的;--这是正常的,也是安全功能的目的所在,就是不希望能够通过BDM读出芯片的内容,除非你使用backdoor comparison key。回复第 1 楼 xiaoqi050222于2010-03-05 08:39:10发表:
 
 

“1) Double bit fault 只与ECC(Error Correction Code)功能有关,跟secure和protection没有关系;”
这个Double bit fault与Secure是有关系的,我使用S12XS256的单片机,通过写地址0x7F_FF0F来实现寄存器FSEC加密位处于加密状态。但是0x7F_FF0F地址处得值已经变了,但每次复位后寄存器FSEC依然是0xFE,我也可以通过BDM查看源码与Flash空间。
然后看手册,每次复位时会执行“Double bit Fault detect”,如果有错误,FSEC是不会从0x7F_FF0F读值的,而会强制进入unsecure状态的。
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