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楼主: MicroAaron

晶振边上两个电容的接地端是否会给附近的地线造成较大的干扰?

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发表于 2009-3-15 23:47:34 | 显示全部楼层

RE:晶振边上两个电容的接地端是否会给附近的地线造成较大的干扰?

把单片机的VDDA,VSSX,VSSR等地线连接在一起,通过铜隔可以减少干扰,两个电容尽量接近单片机的公共地线,同时,把单片机的公共地线连成一片与电源部分单点连接,线要略粗一些,2mm就差不多了。这样的话可以有效减少干扰。设计的时候参考DS.PDF,根据厂家推荐的方式布线。

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发表于 2009-3-25 00:02:32 | 显示全部楼层

RE:晶振边上两个电容的接地端是否会给附近的地线造成较大的干扰?

请问怎样测试晶振的好坏呢

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发表于 2009-4-22 15:39:06 | 显示全部楼层

RE:晶振边上两个电容的接地端是否会给附近的地线造成较大的干扰?

可以测试波形的,如果有干扰可以单点接地,再用磁阻与地线相连

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发表于 2009-4-23 09:24:43 | 显示全部楼层

RE:晶振边上两个电容的接地端是否会给附近的地线造成较大的干扰?

RE:晶振边上两个电容的接地端是否会给附近的地线造成较大的干扰?
把单片机的VDDA,VSSX,VSSR等地线连接在一起,通过铜隔可以减少干扰,两个电容尽量接近单片机的公共地线,同时,把单片机的公共地线连成一片与电源部分单点连接,线要略粗一些,2mm就差不多了。这样的话可以有效减少干扰。设计的时候参考DS.PDF,根据厂家推荐的方式布线。  
学习了

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发表于 2009-5-15 09:49:32 | 显示全部楼层

RE:晶振边上两个电容的接地端是否会给附近的地线造成较大的干扰?

会受到干扰,而且有相当大的干扰
!!!

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发表于 2010-1-20 20:45:44 | 显示全部楼层

RE:晶振边上两个电容的接地端是否会给附近的地线造成较大的干扰?

呵呵。没想到有这么多讲究。

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发表于 2010-5-10 10:31:59 | 显示全部楼层

RE:晶振边上两个电容的接地端是否会给附近的地线造成较大的干扰?

学习!

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发表于 2010-10-24 00:05:51 | 显示全部楼层

回复:晶振边上两个电容的接地端是否会给附近的地线造成较大的干扰?

晶体 主要是震荡,比如我们的产品是12M的,用于启动芯片。没有接地影响也没有啊?  难道时间久了晶体易坏?
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    发表于 2011-3-13 22:45:05 | 显示全部楼层

    RE:晶振边上两个电容的接地端是否会给附近的地线造成较大的干扰?

    晶振两边的两个电容主要作用是是电路容易起振。晶振可以等效为电容和电感的串并关系,MCU中通常是一个反向器,外加电容可以改变晶体的谐振点达到与电路匹配,并且震荡稳定。退偶是次要的问题。当然,如果地接得不好,会在此地导线上形成的分布电感电容又会对晶振产生影响的。

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    发表于 2011-7-19 22:27:45 | 显示全部楼层

    RE:晶振边上两个电容的接地端是否会给附近的地线造成较大的干扰?

    最好加个Gound Layer. 晶震管与MCU靠的越近愈好,晶震管与电容成π字形或把电容放晶震管底下(2层板)。尽量使MCU,晶震管,电容围成的面积减少。
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